甲公司乙公司与国家知识产权局发明专利申请驳回复审行政纠纷上诉案

行政> 行政行为> 行政裁决 案 号：(2022)最高法知行终517号 审理法官： 岑宏宇 周某 孔某 文书类型： 判决书 公开类型： 文书公开 审理法院： 最高人民法院 审结日期：2023.06.20 案件类型： 行政二审 审理程序： 二审 权责关键词： 合法 合法性 新证据 维持原判 // 甲公司乙公司与国家知识产权局发明专利申请驳回复审行政纠纷上诉案 中华人民共和国最高人民法院 行政判决书 (2022)最高法知行终517号 上诉人(一审原告、专利申请人)：甲公司乙公司。住所地：北京市丰台区××路××号院4号楼南座701室。 法定代表人：陶某某，该公司总经理。 委托诉讼代理人：王某某。 被上诉人(一审被告)：国家知识产权局。住所地：北京市海淀区某地北京市海淀区××路××号。 法定代表人：申某，该局局长。 委托诉讼代理人：张某，该局审查员。 委托诉讼代理人：曹某，该局审查员。 丙公司乙公司(以下简称丙公司)与被上诉人国家知识产权局发明专利申请驳回复审行政纠纷一案，丁公司乙公司、名称为“一种太阳能电池选择性发射极的制备方法”的发明专利申请(以下简称本申请)。国家知识产权局作出第260835号复审请求审查决定(以下简称被诉决定)，维持国家知识产权局于2020年9月23日对本申请作出的驳回决定；丙公司乙公司不服，向北京知识产权法院提起诉讼，请求撤销被诉决定，国家知识产权局重新作出审查决定。北京知识产权法院于2022年1月26日作出(2021)京73行初14255号行政判决，戊公司乙公司的诉讼请求；丙公司乙公司不服，向本院提起上诉。本院于2022年8月2日立案后，依法组成合议庭，并于2022年9月8日询问当事人，己公司乙公司的委托诉讼代理人王某某，被上诉人国家知识产权局的委托诉讼代理人张某、曹某到庭参加询问。本案现已审理终结。 本案基本事实如下：本申请系名称为“一种太阳能电池选择性发射极的制备方法”的发明专利申请，庚公司乙公司，申请号为201811270526.6，申请日为2018年10月29日，公开日为2019年3月8日。作为本案审查基础的权利要求为： “1.一种太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： (1)提供硅基体，所述硅基体的表面包括用于与金属接触电极接触的金属接触区域和位于所述金属接触区域以外的非金属接触区域； (2)在所述硅基体全部表面采用低压化学气相沉积法或等离子增强化学气相沉积法形成掺杂过滤层，所述掺杂过滤层包括硅薄膜和氧化硅薄膜，所述氧化硅薄膜位于所述硅薄膜和所述硅基体之间； (3)根据金属接触电极的图案设计，使用皮秒激光器去除位于所述硅基体表面用于与所述金属接触电极接触的金属接触区域上的所述氧化硅薄膜和所述硅薄膜，保留位于所述硅基体表面所述金属接触区域以外的所述非金属接触区域上的所述氧化硅薄膜和所述硅薄膜； (4)对所述硅基体进行掺杂，在硅基体表面设置有掺杂过滤层的非金属接触区域形成选择性发射极的轻掺杂区域，在硅基体表面未设置掺杂过滤层的金属接触区域形成选择性发射极的重掺杂区域。 2.根据权利要求1所述的太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述的硅薄膜为多晶硅薄膜、微晶硅薄膜、非晶硅薄膜中一种的或多种的叠层薄膜，或多晶硅、微晶硅、非晶硅中多种的混合薄膜。 3.根据权利要求1所述的太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述硅薄膜的厚度为5～500nm。 4.根据权利要求1所述的太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述氧化硅薄膜的厚度为0.5～10nm。 5.根据权利要求1所述的太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述的掺杂过程中采用离子注入或扩散的方法进行掺杂，掺杂元素为磷或硼。” 2020年9月23日，国家知识产权局经其原审查部门审查，决定驳回本申请。主要理由为：本申请不具备2008年修正的《中华人民共和国专利法》(以下简称专利法)第二十二条第三款规定的创造性。国家知识产权局原审查部门引用了如下证据： 对比文件1：CN102468365A，公开日为2012年5月23日。 对比文件1公开了一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤(参见说明书第[0008]-[0013]和[0018]段，图2)： a)硅片表面织构处理； b)电池受光面第一次丝网印刷，将用于掩膜的浆料覆盖在硅片受光表面需要制作电极的区域； c)在硅片上镀膜，覆盖电池受光面；步骤c)所述的镀膜实现方式可为PECVD方式； d)镀膜后的硅片进行清洗，去除电极区域覆盖的浆料及其上所镀薄膜； e)扩散：一次性形成电极区重掺杂，非电极区轻掺杂。 对比文件1还公开了(参见说明书第[0018]段)：步骤c)所述的镀膜实现方式可为磁控溅射、电子束蒸发、PECVD、PVD，sol-gel、旋涂等方式，镀膜的材质包括α-SiNx:H、Al2O3、SiO2、非晶硅、微晶硅、TiO2等。 2021年6月3日，国家知识产权局作出被诉决定，认为权利要求1-5不具备创造性，据此维持国家知识产权局于2020年9月23日对本申请作出的驳回决定。 丙公司乙公司不服，于2020年7月7日向一审法院提起诉讼，请求撤销被诉决定，判令国家知识产权局重新作出审查决定。事实和理由为：本申请权利要求1与对比文件1的掺杂过滤层的形成过程及材料完全不同，对比文件1必须具有浆料掩膜步骤，采用单层材料作为阻隔层，权利要求1不需要浆料掩膜步骤，采用特定的硅和二氧化硅薄膜作为阻挡层，并且氧化硅薄膜位于所述硅薄膜和所述硅基体之间。现有技术未给出相应的技术启示，权利要求1取得了更好的技术效果。对于去除电极区域阻挡层的方法，对比文件1也与权利要求1完全不同，对比文件1采用清洗的方法，而权利要求1采用皮秒激光器。对比文件1采用洗脱工艺是与其采用浆料掩膜的制备步骤密切相关的，前面的浆料掩膜步骤导致其并不会选择激光工艺去除浆料掩膜。对比文件1与权利要求1是完全不同的技术设计思路。本申请所述技术方案需要本领域技术人员付出大量的创造性劳动，权利要求1具备创造性，在此基础上，权利要求2-5亦均具备创造性。 国家知识产权局辩称：被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，审查程序合法，审查结论正确，请求法院戊公司乙公司的诉讼请求。 一审法院经审理认定了上述事实。 一审法院认为：本申请权利要求1要求保护一种太阳能电池选择性发射极的制备方法，对比文件1公开了一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法。鉴于被诉决定对权利要求1与对比文件1之间的区别特征认定正确，丙公司乙公司对此亦认可，一审法院经审查予以确认，即本申请权利要求1与对比文件1的区别特征在于：(1)掺杂过滤层包括硅薄膜和氧化硅薄膜，所述氧化硅薄膜位于所述硅薄膜和所述硅基体之间；(2)使用皮秒激光器去除金属接触区域上的掺杂过滤层。基于上述区别特征，被诉决定将权利要求1相对于对比文件1实际要解决的技术问题归纳为：(1)得到更低的表面浓度、更浅的结深和更高的方阻的发射极轻掺杂区域，提高发射极性能；(2)提供在掺杂过滤层中替换的开口方式。该认定并无不妥，一审法院予以确认。 关于区别特征(1)：对比文件1公开了镀膜(掺杂过滤层)可以是SiO2、非晶硅和微晶硅，虽然对比文件1中不是硅和氧化硅的层叠膜，但本领域技术人员知晓，增加膜厚或使用多层膜可增加掺杂时的阻挡效果。阻挡效果越好，在掺杂时可得到更低的表面浓度、更浅的结深和更高的方阻。本申请使用叠层膜获得的更好效果符合本领域技术人员的预期。故为解决相同技术问题，本领域技术人员有动机采用对比文件1公开的SiO2、非晶硅和微晶硅形成具有多层膜的掺杂过滤层，将氧化硅位于硅和硅基体之间或者硅位于氧化硅和硅基体之间，这属于本领域常规选择，其技术效果也是可以预料到的。 关于区别特征(2)：在对比文件1给出了利用洗脱浆料方式去除浆料及其上镀膜(掺杂过滤层)以在电极区形成开口的启示下，本领域技术人员有动机使用本领域惯用的激光刻蚀开口工艺方式形成开口。皮秒激光器属本领域常规精细加工激光器，本领域技术人员将其用于对比文件1，替代对比文件1中开口方式，属本领域常规选择。当本领域技术人员在面临需简化工艺流程、获得更好精度和清洁度，使用激光替代对比文件1中开口工艺时，常规做法是替代对比文件1中整个开口工艺，包括形成和清洗浆料掩膜，而不会想到仅利用激光替代清洗步骤而保留形成掩膜步骤。 此外，权利要求1中的并列技术方案，即用低压化学气相沉积法形成掺杂过滤层，是本领域常规技术手段。因此，在对比文件1基础上结合本领域常规技术手段得到权利要求1，对本领域技术人员而言是显而易见的。权利要求1相对于对比文件1和本领域常规技术手段的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，即不具备创造性。 辛公司乙公司明确表示，本申请权利要求2-5具备创造性的前提是权利要求1具备创造性。故在已认定本申请权利要求1不具备创造性的情况下，一审法院认定本申请权利要求2-5均不具备创造性。 一审法院依据《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，判决：“壬公司乙公司的诉讼请求。案件受理费一百元，癸公司乙公司负担(已交纳)。” 丙公司乙公司不服一审判决，向本院提起上诉，请求：1.撤销一审判决；2.撤销被诉决定，并判令国家知识产权局重新作出审查决定；3.本案诉讼费由国家知识产权局承担。事实和理由为：第一，被诉决定对于对比文件1中的内容引用错误，且一审法院对此没有认真审查。第二，被诉决定关于本申请权利要求1实际要解决的技术问题归纳错误，其中不应包含“提供在掺杂过滤层中替换的开口方式”，本申请权利要求1实际要解决的技术问题应为：如何获得更低的表面浓度、更浅结深和更高方阻的发射极轻掺杂区域，从而获得更好性能的发射极。第三，本申请权利要求1与对比文件1的发明构思完全不同。对比文件1整体发明构思在于避免使用昂贵的激光，相应地在硅片上通过网板印刷含有氧化硅浆料，再进行PECVD镀膜，形成阻挡层，浆料起到过渡作用，通过丝网印刷到硅片上，在镀膜之后，浆料和上面的镀膜一起被清洗除去掺杂过滤层；而本申请权利要求1采用气相沉积方式制备氧化硅薄膜和单质硅薄膜的叠层薄膜作为掺杂过滤层，之后采用皮秒激光去除掺杂过滤层。第四，区别特征(1)和区别特征(2)均与本申请权利要求1的发明构思密切相关，不能将二者割裂后进行评述。综上，本领域技术人员在对比文件1的基础上结合常规技术手段无法得到本申请权利要求1。 国家知识产权局辩称：坚持被诉决定的意见，一审判决认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法，子公司乙公司上诉请求，维持原判。 本案二审期间，双方当事人均未提交新证据。 本院经审理查明：除对比文件1有关信息外，一审法院认定的事实基本属实，本院予以确认。 本院另查明：被诉决定实际引用的对比文件1应为公开号为CN102709378A、公开日为2012年10月3日、名称为“一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法”的发明专利申请；而被诉决定在列举证据部分将对比文件1的相关信息记载为“CN102468365A，公开日为2012年5月23日”。国家知识产权局明确表示，该部分内容属明显笔误，在实际评述过程中，并未错误引述对比文件1中任何内容。 以上事实有对比文件1、被诉决定在案证明。 本院认为：本申请的申请日在2008年修正的专利法施行日(2009年10月1日)之后、2020年修正的专利法施行日(2021年6月1日)之前，本案应适用2008年修正的专利法。本案二审争议焦点问题是：本申请是否具备创造性。 专利法第二十二条第三款规定：“创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。”在判断一项发明是否具有突出的实质性特点时，通常第一步应确定最接近的现有技术，即现有技术中与请求保护的发明最密切相关的一项技术方案；第二步应确定请求保护的发明相对于现有技术的区别技术特征，并由此确定该发明实际解决的技术问题；第三步应从最接近的现有技术和发明实际解决的技术问题出发，判断请求保护的发明对本领域技术人员来说是否显而易见。丑公司乙公司的上诉理由，本院对本申请权利要求1是否具备创造性评述如下。 (一)关于最接近的现有技术及区别特征 被诉决定认为，与本申请权利要求1最接近的现有技术是对比文件1公开的技术方案，即一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法，二者区别在于：(1)掺杂过滤层包括硅薄膜和氧化硅薄膜，所述氧化硅薄膜位于所述硅薄膜和所述硅基体之间；(2)使用皮秒激光器去除金属接触区域上的掺杂过滤层。双方当事人对此不持异议，本院经审查对此予以确认。 (二)关于实际要解决的技术问题 被诉决定认为，基于上述两项区别特征，本申请权利要求1实际要解决的技术问题是：(1)得到更低的表面浓度、更浅的结深和更高的方阻的发射极轻掺杂区域，提高发射极性能；(2)提供在掺杂过滤层中替换的开口方式。丙公司乙公司认为，本申请权利要求1实际要解决的技术问题仅为前述第1部分技术问题，而不应包含第2部分，即“提供在掺杂过滤层中替换的开口方式”。对此，本院认为，被诉决定所确定的第2个实际要解决的技术问题是针对区别特征(2)进行的归纳总结，是对权利要求1的客观评价，寅公司乙公司产生不利影响。卯公司乙公司关于被诉决定错误归纳本申请实际要解决的技术问题的上诉理由不能成立，本院不予支持。 (三)关于现有技术是否给出启示 关于区别特征(1)：被诉决定认为，上述区别特征(1)中的关键特征，即“氧化硅薄膜位于硅薄膜和硅基体之间”，是本领域技术人员为追求相同技术效果，从前述要解决的技术问题(即“在掺杂时可得到更低的表面浓度、更浅的结深和更高的方阻”)出发，能够从对比文件1中得到启示的技术手段，至于氧化硅和硅薄膜具体放置在哪一层，是中间层还是上层，则是本领域技术人员的常规选择。该评述并无明显不当，本院予以确认。丙公司乙公司认为，被诉决定将多层结构材料选择简单定性为常规选择，缺乏证据支持，过于武断。对此，本院认为，氧化硅和硅薄膜具体放置在哪一层，从排列组合角度看，其设置方式极其有限，通过少量次数实验即可予以验证，故均属“容易想到、容易做到、容易得到”的范畴。换言之，本领域技术人员在不明确哪一种排列组合方式是最优方案情形下，有动机逐一进行试验，再根据试验结果得到最优方案。因此，区别特征(1)本身不能体现创造性劳动，无法使得本申请权利要求1具备创造性。 关于区别特征(2)：被诉决定认为，对比文件1首先给出了需在电极区形成开口的启示，而皮秒激光器属本领域常规精细加工激光器，故本领域技术人员无需付出创造性劳动即可得到“使用皮秒激光器去除金属接触区域上的掺杂过滤层”这一技术手段。该评述亦无明显不当，本院予以确认。丙公司乙公司认为，对比文件1追求的技术效果在于避免使用昂贵的激光设备，故在整体发明构思上与本申请权利要求1存在区别，无法给出启示。对此，本院认为，虽然对比文件1与本申请权利要求1在整体上追求的技术效果有所差异，但这并不影响本领域技术人员可以从对比文件1中得到相应技术启示，且不存在技术层面结合的障碍。 (四)辰公司乙公司的其他上诉主张 丙公司乙公司提出的其他上诉主张均不能成立，理由如下： 首先，关于对比文件1的公开内容。根据二审查明事实，被诉决定与一审判决中关于对比文件1的记载(即“CN102468365A，公开日为2012年5月23日”)确与对比文件1的实际公开号和公开日不一致，后者应为CN102709378A和2012年10月3日。但是，从被诉决定关于本申请是否具备创造性的评述来看，被诉决定并未错误引述对比文件1中任何内容。因此，国家知识产权局关于前述不一致记载属于笔误的主张符合本案查明事实，本院予以认可。该笔误并未实际影响被诉决定的评述及其结论，故亦不影响被诉决定本身的合法性。 其次，关于被诉决定是否割裂区别特征。前述区别特征(1)是关于氧化硅薄膜、硅薄膜、硅基体三者的位置关系，而区别特征(2)是关于去除掺杂过滤层的工具选择。二者系相对独立的技术单元，不存在明显的相互作用、紧密关联、不可分开进行评述的情形。被诉决定对其分开予以评述，层次分明，易于理解，故不存在割裂技术特征、进而低估本申请创新程度的不当评述。 综上，被诉决定关于“本申请权利要求1相较于对比文件1和公知常识的结合不具备创造性”的结论正确，本院予以确认。关于本申请权利要求2-5，被诉决定认为，该四项权利要求均是本申请权利要求1的从属权利要求，其附加技术特征部分已被对比文件1公开，其余均属本领域常规技术手段，其与本申请权利要求1结合后亦未带来任何预料不到的技术效果，故在本申请权利要求1不具备创造性的情形下，本申请权利要求2-5亦不具备创造性。该评述亦无明显不当，本院一并予以确认。丙公司乙公司关于本申请具备创造性的上诉理由缺乏充分的事实与法律依据，本院不予支持。 综上所述，丙公司乙公司的上诉请求不能成立，应予驳回。一审判决认定事实清楚，适用法律正确，应予维持。根据《中华人民共和国行政诉讼法》第八十九条第一款第一项之规定，判决如下： 驳回上诉，维持原判。 二审案件受理费100元，甲公司乙公司负担。 本判决为终审判决。 审 判 长 岑宏宇 审 判 员 周 觅 审 判 员 孔某 二〇二三年六月二十日 法官助理 诸方卉 书 记 员 郑 帅 裁判要点 案号 (2022)最高法知行终517号 案由 发明专利申请驳回复审行政纠纷 合议庭 审判长：岑宏宇 审判员：周某、孔某 法官助理：诸方卉 书记员：郑某 裁判日期 2023年6月20日 本申请 “一种太阳能电池选择性发射极的制备方法”发明专利申请(201811270526.6) 关键词 发明专利申请；驳回复审；创造性 当事人 上诉人(一审原告、专利申请人)：甲公司； 被上诉人(一审被告)：国家知识产权局。 裁判结果 驳回上诉，维持原判。 一审判决主文：巳公司的诉讼请求。 被诉决定主文：维持国家知识产权局于2020年9月23日对本申请作出的驳回决定。 涉案法条 《中华人民共和国专利法》(2008年修正)第二十二条第三款 法律问题 发明专利是否具备创造性的判断 裁判观点 在判断一项发明是否具有突出的实质性特点时，通常第一步应确定最接近的现有技术，即现有技术中与请求保护的发明最密切相关的一项技术方案；第二步应确定请求保护的发明相对于现有技术的区别技术特征，并由此确定该发明实际解决的技术问题；第三步应从最接近的现有技术和发明实际解决的技术问题出发，判断请求保护的发明对本领域技术人员来说是否显而易见。 注：本摘要并非判决书之组成部分，不具有法律效力。 本案法律依据 中华人民共和国专利法(2008修正) 第22条3款 中华人民共和国行政诉讼法(2017修正) 第69条 中华人民共和国行政诉讼法(2017修正) 第89条1款1项