甲公司、乙公司、丙公司专利权权属纠纷二审民事判决书

甲公司、乙公司、丙公司专利权权属纠纷二审民事判决书 中华人民共和国最高人民法院 民事判决书 (2021)最高法知民终49号 上诉人(原审被告)：甲公司。住所地：江苏省无锡市某地。 法定代表人：王某2，该公司总经理。 委托诉讼代理人：周某，某律师事务所律师。 委托诉讼代理人：韩某，某律师事务所律师。 上诉人(原审被告)：乙公司。住所地：浙江省宁波市镇海区某地。 法定代表人：王某2，该公司总经理。 委托诉讼代理人：周某，某律师事务所律师。 委托诉讼代理人：韩某，某律师事务所律师。 上诉人(原审被告)：王某2。 委托诉讼代理人：周某，某律师事务所律师。 委托诉讼代理人：彭某，某律师事务所律师。 被上诉人(原审原告)：丁某。住所地：江苏省张家港保税区某地E栋。 法定代表人：XUESONGSHENG(薛某)，该公司董某2兼总经理。 委托诉讼代理人：胡某，某律师事务所律师。 委托诉讼代理人：王某，某律师事务所律师。 戊公司(以下简称戊公司)、乙公司(以下简称乙公司)、己公司(以下简称己公司)专利权权属纠纷一案，不服江苏省苏州市中级人民法院于2020年10月9日作出的(2019)苏05知初542号民事判决，向本院提起上诉。本院于2021年1月11日立案后，依法组成合议庭，并于2021年3月9日询问当事人，庚公司、乙公司的法定代表人王某2及其共同委托诉讼代理人周某、韩某，王某2的委托诉讼代理人周某、彭某，辛某的法定代表人薛某及其委托诉讼代理人胡某、王某到庭参加询问。本案现已审理终结。 戊公司上诉请求：1.撤销原审判决；2.壬公司诉讼请求。事实与理由：(一)第201210205416.8号、名称为“线性薄膜磁阻传感器”的发明专利(以下简称戌公司)癸公司成立之前的技术研发积累，子公司，丑公司。1.王某2是磁学专业领域的资深专家，寅公司成立之前就发表多篇与戌公司技术相关的论文、申请多篇与戌公司技术相关的专利。2.戊公司卯公司，辰公司巳公司处任职，午公司处任职的创造成果。3.未公司处仅担任首席运营官，负责商业运营及市场推广，不参与实际研发工作。4.诉争申公司成立之前的技术积累，己公司无关。戌公司的核心是TMR的材料结构。己公司成立后所申请的所有专利均没有涉及到TMR材料以及结构，仅仅是TMR的应用及版图的设计，不涉及任何与TMR的材料结构相关的技术内容，酉公司并没有进行与戌公司相关的任何研发工作。(二)戊公司已经证明戌公司前已经作出并存在的情况下，己公司从相互独立的证据中分别提取了部分技术特征，与戌公司中包含的部分技术特征对应，在未考虑戌公司整体技术方案的基础上，主张戌公司与王某2的本职工作有关，不应得到支持，原审判决相关认定有误，对于职务发明的认定应当采用更加严格的标准，应当综合比较双方提交的证据来判定戌公司技术方案的来源。(三)亥公司甲23公司乙24公司丙25公司损失属于事实认定错误。 乙公司、王某2的上诉请求、丁26公司。 己公司辩称：原审判决认定事实清楚，适用法律正确。1.未公司任职情况已有在先生效判决认定。2.没有证据证明戊27公司前已经完成。3.戌公司是在王某2前期经历基础上进一步研发完成的，己28公司任职期间。综上，庚29公司、乙公司、王某2上诉请求，维持原判。 己公司向原审法院提起诉讼，原审法院于2019年6月24日立案受理。己公司起诉请求：1.辛30公司所有；2.戊公司、王某2承担本案的维权费用1.5万元。事实和理由：戌公司申请日为2012年6月20日，于2015年8月5日获授权公告。专利登记簿副本显示，壬31公司，申请人于2013年1癸32公司(以下简称癸32公司)，后又子33公司处。戌公司的发明人王某2于20丑34公司任首席运营官职务，负责磁传感器的研究开发以及管理工作，并任董某。己公司工作期间，完成多项发明，己公司提交了包括王某2为发明人的多项发明专利申请，涉及磁传感器与磁头领域。寅35公司任职期间的申请，属于在本职工作中作出的发明创造，为职务发明创造，其专利权应归多维所有。卯36公司任职期间的职务发明擅自以他人名义申请专利引发本案权属纠纷，其本质是侵犯他人专利申请权的行为，应参照《中华人民共和国专利法》(以下简称专利法)及司法解释关于维权合理开支的规定，戊公司、王某2承担相应费用。 戊公司、王某2原审共同辩称：1.辰37公司成立之前已经基本完成，戌公司是王某2在先申请专利的基础上进一步完成的，己公司无任何关联。2.未公司成立之前发表的多篇论文的内容均涉及到了与戌公司相关的部分技术点，巳38公司之间无任何关联。3.午39公司卯公司，未40公司创立之初到现在为止，王某2一直担任法定代表人，申41公司仅担任董某。酉42公司是依据江苏省无锡市的530项目创建，在530项目申报书中其所依靠的技术也与戌公司的技术点重合，戌43公司之间并无任何关联。4.未公司担任的仅为董某，而且其工作内容也仅为市场营销一类的内容，并不涉及到研发，亥44公司之间没有任何关系。 乙公司原审辩称：甲45公司、王某2的答辩意见。另补充两点：乙46公司丙47公司之间签有戌公司的转让合同，合同中约定了转让款另外协商。丁48公司成立之前便已经完成的，己公司的起诉属于滥用诉权的行为，戊49公司、乙公司、己50公司造成任何损害，故不应当支持其损害赔偿的诉讼请求。 原审法院认定如下事实： 戊公司成立于2009年9月，公司庚51公司，王某2任法定代表人兼执行董某，公司股东为王某2和黄超琼，经营范围为电子产品、传感器、芯片的研发、销售；集成电路的设计；技术服务；技术转让；技术咨询。2010年3月17日，经工商核准，辛52公司壬53公司。2012年4月24日，癸54公司子55公司。同年5月14日，戊公司出资股东由王某2一人变更为王某2、徐振华、白建民和李勇四人，王某2占股50%，并任总经理兼执行董某。2009年11月至2012年6月，戊公司的财务报表中每月的应付工资、应付福利费用均为零，该期间内大部分月份的销售(营业)收入为零。自设立起截至2012年6月，戊公司除提起了第201210205416.8号“线性薄膜磁阻传感器”、第201210205370.X号“具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器”、第201210205391.1号“一种薄膜磁阻传感器元件及薄膜磁阻电桥”三件专利申请(己公司就此均提起了专利权权属纠纷之诉)外，未提出过其它任何专利申请。 2012年6月20日，戊公司向国家知识产权局提出戌公司申请。2013年1月22日，丑56公司。2014年5月29日，寅57公司卯58公司。2015年8月5日，该专利获授权公告，专利记载发明人为王某2。专利申请公布文本权利要求为： 1.一种线性薄膜磁阻传感器，其特征是，包括： 种子层； 参考层，位于所述种子层上，具有第一磁矩； 非磁性隔离层，位于所述参考层上，将参考层与磁性自由层隔离； 磁性自由层，位于非磁性隔离层上，具有第二磁矩，所述第二磁矩具有垂直于膜面的各向异性，且第二磁矩的方向与第一磁矩的方向相互垂直。 2.根据权利要求1所述的线性薄膜磁阻传感器，其特征是：所述磁性自由层的第二磁矩在非磁性隔离层的晶格结构作用下产生垂直于膜面的各向异性时，磁性自由层的材料包括CoFeB，或CoFeB与Ta形成的复合层，或CoFeB、Ru与Ta形成的复合层、或CoFeB、Ta、Ru与Ta形成的复合层。 3.根据权利要求1所述的线性薄膜磁阻传感器，其特征是：所述磁性自由层的材料包括CoFe与Pt形成复合层、CoFe与Pd形成的复合层、Co与Pd形成的复合层、Co与Pt形成的复合层、CoFeB与Pt形成的复合层、或CoFeB与Pd形成的复合层。 4.根据权利要求1所述的线性薄膜磁阻传感器，其特征是：所述参考层包括非磁性钉扎层及磁性被钉扎层，所述非磁性钉扎层位于种子层上，磁性被钉扎层位于非磁性钉扎层上；非磁性钉扎层与磁性被钉扎层产生交换耦合场，所述交换耦合场在磁性被钉扎层上具有第一磁矩。 5.根据权利要求1所述的线性薄膜磁阻传感器，其特征是所述非磁性隔离层的材料包括Cu、AlO、MgO、HfO、ZrO或TaO。 6.根据权利要求1所述的线性薄膜磁阻传感器，其特征是：所述非磁性钉扎层的材料包括MnIr，MnPt或MnFe；所述磁性被钉扎层的材料包括CoFe与CoFeB形成的复合层、CoFe、Ru与CoFe形成的复合层、CoFe、Ru、CoFeB、Ta与CoFeB形成的复合层、或CoFe、Ta、CoFe、Ru与CoFeB形成的复合层。 7.一种利用权利要求1所述线性薄膜磁阻传感器的线性薄膜磁阻传感器电路，其特征是：包括第一线性薄膜磁阻传感器及第二线性薄膜磁阻传感器，所述第一线性薄膜磁阻传感器、第二线性薄膜磁阻传感器形成半桥电路；第一线性薄膜磁阻传感器内参考层的第一磁矩方向与第二线性薄膜磁阻传感器内参考帧的第一磁矩方向反平行；第一线性薄膜磁阻传感器内磁性自由层的第二磁矩反向与第二线性薄膜磁阻传感器内磁性自由层的第二磁矩方向相互平行。 8.根据权利要求7所述的线性薄膜磁阻传感器电路，其特征是：还包括第三线性薄膜磁阻传感器及第四线性薄膜磁阻传感器，所述第一线性薄膜磁阻传感器、第二线性薄膜磁阻传感器、第三线性薄膜磁阻传感器及第四线性薄膜磁阻传感器形成惠斯通电桥；其中，所述第一线性薄膜磁阻传感器、第二线性薄膜磁阻传感器、第三线性薄膜磁阻传感器及第四线性薄膜磁阻传感器分别形成上述惠斯通电桥的桥臂，第一线性薄膜磁阻传感器与第四线性薄膜磁阻传感器位于惠斯通电桥的两个相对应的桥臂上，第二线性薄膜磁阻传感器与第三线性薄膜磁阻传感器位于惠斯通电桥的两个相对应的桥臂上，第一线性薄膜磁阻传感器所在的惠斯通电桥的桥臂与第二线性薄膜磁阻传感器及第三线性薄膜磁阻传感器所在的惠斯通电桥的桥臂领接； 第一线性薄膜磁阻传感器、第二线性薄膜磁阻传感器、第三线性薄膜磁阻传感器及第四线性薄膜磁阻传感器内对应的第二磁矩方向相互平行；第一线性薄膜磁阻传感器内的第一磁矩方向与第四线性薄膜磁阻传感器内的第一磁矩方向相互平行，第二线性薄膜磁阻传感器内的第一磁矩方向与第三线性薄膜磁阻传感器内第一磁矩方向相平行。 9.一种利用权利要求8所述线性薄膜磁阻传感器的闭环电流传感器，其特征是：包括聚磁环，所述聚磁环与惠斯通电桥的电压输入端相连，惠斯通电桥的输出端与放大器的输入端相连；聚磁环上缠绕有二次线圈，所述二次线圈缠绕在聚磁环上后，二次线圈的一端与放大器的输出端相连，另一端通过上拉电阻接地。 10.一种利用权利要求8所述线性薄膜磁阻传感器的开环电流传感器，其特征是：包括电流导线，所述电流导线集成于惠斯通电桥上，电流导线的电流路径经过惠斯通电桥的桥臂上的线性薄膜磁阻传感器。 戌公司说明书技术领域[0001]段记载：本实用新型涉及一种传感器，尤其是一种线性薄膜磁阻传感器，属于薄膜磁阻传感器的技术领域。 其说明书背景技术[0003]、[0004]段有如下记载：薄膜磁阻传感器元件有多层膜结构，自旋阀结构。多层膜结构包括磁性层和非磁性层，它们交替的沉积在衬底上。自旋阀结构包括非磁性钉扎层(MnIr，MnPt)，磁性被钉扎层(CoFeB，CoFe，或是SAF结构CoFe/Ru/CoFe等)，非磁性隔离层(Cu，AlO，MgO，HfO，ZrO，TaO等等)，磁性自由层(CoFeB，CoFe，或是SAF结构CoFe/Ru/CoFe等)。薄膜磁阻传感器元件在测量模拟量时，由于自由层的磁性材料本身有磁滞现象，测量时有回程差，影响到测量的精度和测量的线性度。为了避免这种现象通常采用的方法是：1)、利用自由层的形状各项异性能提供一个垂直于外界待测磁场偏置磁场。2)、在薄膜磁阻传感器元件的自由层周围，沉积一层永磁薄膜，通过永磁薄膜提供一个垂直于外界待测磁场偏置磁场(计算机硬盘采用此方案)。3)、在薄膜磁阻传感器元件的自由层周围，沉积一根电流线，通过电流提供一个偏置磁场。4)、利用反铁磁材料(MnIr/MnPt)提供自由层一个垂直于外界待测磁场偏置磁场。 说明书发明内容[0006]段记载：本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种线性薄膜磁阻传感器，其结构紧凑，磁滞小、精度和线性度高、线性范围可调，工艺简单，成本低，抗干扰性强及温度稳定性好。[0017]段记载：本发明的优点：非磁性钉扎层与磁性被钉扎层形成参考层，参考层具有第一磁矩方向；磁性自由层具有第二磁性方向，第二磁性方向具有垂直于膜面的各向异性，且第二磁矩的方向与第一磁矩的方向相互垂直。由于磁性自由层的第二磁矩具有垂直于膜面的各向异性，磁性自由层在平行于膜面的方向表现出极低的磁滞，并且较低的饱和场，使得形成磁阻传感器具有较高的灵敏度；磁性自由层平行于膜面的饱和场大小可以有垂直于膜面的各向异性的大小调节。利用本实用新型的薄膜磁阻传感器还能形成带聚磁环的闭环电流传感器和不带聚磁环的开环电流传感器，磁滞小，精度和线性度高，线性范围可调，工艺简单，响应频率高，成本低，抗干扰性强和温度特性好。 诉讼中，己公司辰59公司任职期间的本职工作以及任职期间所获知的技术信息擅自提出的专利申请，该行为既属于我国专利法规定的职务发明创造行为也构成不当得利行为，巳60公司所有。 就此原审法院查明，2010年5月21日，己公司经工商核准设立，其经营范围为进出口业务；传感器芯片、集成电路芯片及相关电子产品的设计、生产、研发及销售；并提供售后服务。根据2010年5月17日由BrightSmartTechnologyLimited法定代表人薛某签署的董某委派书，薛某、王某2、午61公司董某。 己公司在2010年10月至2012年6月期间，共向国家知识产权局提出了数十件实用新型、发明专利的申请，上述专利涉及的领域大多为磁阻传感器和磁头技术领域，王某2系大部分专利的发明人之一。其中，2011年5月16日，己公司向国家知识产权局申请了第201110125153.5号、“一种开关传感器”的发明专利，并于2012年11月21日公布。王某2系该专利的发明人之一。该专利说明书具体实施方式[0019]段实施例1及该专利附图3披露了一种推挽半桥MTJ开关传感器。[0028]段实施例5及该专利附图7披露了一种推挽全桥MTJ开关传感器。 2011年4月21日，己公司向国家知识产权局申请了第201110100226.5号、“单片参考全桥磁场传感器”的发明专利，并于2012年8月1日公布。王某2系该专利的发明人之一。该专利说明书具体实施方式[0034]至[0039]段披露了磁矩垂直和使用不同的方式实现第二磁矩的方向以及多层膜的使用结构。 2011年12月30日，己公司向国家知识产权局申请了第201110452834.2号、“一种电流传感器”的发明专利申请，并于2012年4月18日公布。王某2系该专利的发明人之一。该专利说明书发明内容[0007]段描述：为达到上述目的，本发明提供了一种电流传感器，包括集成设置在同一芯片内的由MTJ磁电阻组成的惠斯通电桥以及一个或多个MTJ温度补偿磁电阻、电流导线，所述电流导线靠近惠斯通电桥并且其中可通有被测电流，所述MTJ温度补偿磁电阻四周设置有永磁体，该永磁体将MTJ温度补偿磁电阻的自由层的磁化方向与钉扎层的磁化方向呈反向平行以使MTJ温度补偿磁电阻处于阻值在测量范围内仅随温度变化的高阻态，所述惠斯通电桥和MTJ温度补偿磁电阻相串联以在惠斯通电桥的两端得到稳定的输出电压，并且通过该稳定的输出电压得到被测电流产生的磁场从而得到被测电流值。 2011年5月27日，己公司向国家知识产权局申请了第201110141226.X号、“薄膜磁电阻传感元件、多个传感元件的组合及与该组合耦合的电子装置”的发明专利申请，并于2011年12月14日公布。申请记载发明人为詹姆斯·G·迪克和薛某，该专利说明书技术领域[0001]段记载：本发明涉及利用一系列磁性隧道结传感元件的一种矢量磁场测量传感系统，其包括具有垂直磁各向异性的铁磁材料。说明书附图说明[0019]段图1是传感器薄膜的坐标系；图2是一种有效的采用永磁铁PM控制传感器的响应特性的MTJ磁场传感器材料的分层顺序示意图。这里钉扎层PL的磁化强度矢量被固定在垂直于膜面方向，而自由层FL的磁化矢量可以在垂直和平行方向自由移动，在钉扎层PL的这一初始磁化方向，传感器检测自由层FL磁化矢量的面外分量；第二钉扎层PL被用来控制MTJ器件电阻随外磁场变化关系函数曲线的中心点。说明书具体实施方式[0020]至[0030]段对图1、图2进行了具体的描述。 未公司未62公司董某及首席运营官，申63公司管理并参与磁传感器的研究开发。根据2酉64公司为王某2缴纳的个人社会保险记录和20戌65公司为王某2缴纳的工资个人所得税证明，亥66公司至少工作至2012年6月30日。王建甲67公司电流传感器项目的研发，己公司于2010年立项的“年产10亿个TMR磁阻传感器芯片和10亿个ASIC芯片”研发项目，王某2为项目负责人之一，根据该项目书记载，王某2从事的专业领域为物体磁性薄膜物理及TMR芯片在硬盘驱动器上的应用。己公司于2011年立项的“高性能、低功耗TMR磁传感器芯片的产业化”研发项目，王某2系项目核心人员。 乙68公司员工身份于2012年6月期《磁性材料及器件》杂志与他人合作发表了名为《隧道磁阻(TMR)磁传感器的特性及应用》的文章。 丙69公司任职期间发送和接收的部分邮件内容，均可表明其参与了相关的研发工作。其中，2010年11月26日王某2发送的名为“电流传感器数据”的邮件，附件为“基于全桥的电流传感器”测量数据PPT。2011年8月14日白建民发送的“工作周报-应用工程部20110813”邮件，王某2为收件人之一。2011年12月5日，王某2向薛某发送“周报”邮件，并附“周报-王某2”xls表。2011年12月24日，王某2在发送的“产品讨论”邮件中，提出，“让我们下周二开一个关于产品的会议。小军/建民/啸锋/jim，请为1uA开关产品准备TMR设计和ASIC设计参数……”。2011年12月26日，王某2发送“周报更新”丁70公司员工“请发送你的工程计划”。2011年12月27日，王某2发送邮件“产品讨论”，并附“产品定义”xls表。2012年1月9日，王某2发送“电流传感器-TMR需求”邮件称，“附件中的文件是300mA闭环电流传感器的TMR性能和封装需求”，邮件附件为“300mA电流传感器”PPT文档。2012年1月16日王某2发送的邮件中称，“我总结了对于电流传感器的线性传感器需求。对于TMR的电阻RA，我们需要半桥和全桥＜5k。jim和卫锋，请检查上述设计的电阻RA和自由层的厚度。”该邮件附件为“用作电流传感器的线性传感器需求”PPT文档。2012年1月16日，王某2发送名称为“开关产品计划”邮件，附件为“产品进度-开关”xls表。2012年3月18日，王某2发送“新产品开发(NPD)项目述评一页ppt”邮件，并附该电流传感器项目PPT文档。 此外，己公司本案中主张王某2戊71公司人员往来邮件包括： 2011年4月3日，LiWei发送主题为“专利：单片参考全桥磁场感应传感器(校对v3)”邮件，王某2系抄送人。该邮件附件为“单片参考全桥磁场感应传感器(校对稿)v3”发明专利申请文件的doc文档，己72公司第201111010226.5号“单片参考全桥磁场传感器”专利申请文本。 2011年12月5日上午2:08，WeifengShen发送主题为“RE:FW:Spin¬_torque_switching_of_perpendicular_Ta∣CoFeB∣MgO-based_magnetic_tunnel_junctions”邮件，王某2系收件人之一。邮件附件为一篇在先文献《一种垂直各向异性CoFeB-MgO磁隧道结》，文章披露多层膜结构的具体材料。 2011年12月5日下午6:11，JamesDeak发送主题为“RE:Spin¬_torque_switching_of_perpendicular_Ta∣CoFeB∣MgO-based_magnetic_tunnel_junctions”邮件及附件，王某2系抄送人之一。邮件称，“附件为MDT的基于PMA效应的传感器专利，供参考。专利提出了若干种组合设计，以及现行传感器的制作方法”。 2010年10月5日，王某2发送邮件称，“附件中是开环电流传感器设计，请给出你们的意见。……jim，在第6和第7页中有一些问题需要你的帮助”，邮件附件为“电流传感器设计-开环”PPT，其中主要内容为电流传感器(直插式探头)的闭环设计A方案和B方案描述及相应图示。 另查明，乙公司设立于2013年2月20日，经营范围为电子技术、物联网技术、传感器技术、传感仪表技术的开发、转让、咨询服务；商务咨询；电子元器件、电子系统设备的研究、开发、制造、批发等。2014年4月8日，乙公司股东由吕菲变更为由王某2任法定代表人的希磁(北京)庚73公司。辛74公司现法定代表人兼董某2。壬75公司官网显示，其具有宁波的传感器工程中心和无锡的传感器研发中心。癸76公司的企业名称，子77公司丑78公司的注册地址。癸32公司设立于2011年12月28日，经营范围为电子技术、物联网技术、传感器技术、传感仪表的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务，商务咨询，电子元器件、电子系统设备的研究、开发、制造、销售等。寅79公司出具的《卯80公司董某委派书》癸32公司2012年8月12日及第二届第一次董某会决议文件记载，辰81公司的5人董某之一。 再查明，2019年4月26日，某律师事务所签订《专利权属纠纷委托代理协议》，己公司授权该所作为包括戌公司在内的14件专利权权属纠纷案件的代理人，总服务费45万元，合同签订之日起5个工作日内支付21万元，收到生效判决之日起5日内支付24万元。同月29日，某律师事务所支付了21万元。为此，己公司巳82公司及王某2实施的侵权行为而支出，故在本案中主张1.5万元为其损害赔偿额。 原审法院认为： 戌公司名称为线性薄膜磁阻传感器，为涉及一种线性薄膜磁阻传感器的元件结构、材料的具体设计技术方案。利用该技术方案的薄膜磁阻传感器能形成带聚磁环的闭环电流传感器和不带聚磁环的开环电流传感器，具备磁滞小，精度和线性度高，线性范围可调，工艺简单，响应频率高，成本低，抗干扰性强和温度特性好的优点。而王某2的个人社会保险参保证明及个人所得税缴税记录表明，其至少在2午83公司。戌公司申请日为2012年6月20日，未84公司期间提出申请的发明创造。未公司任职首席执行官，申85公司市场管理工作。酉86公司举证的王某2公开发表的文章，己公司提出的由其作为发明人之一的戌87公司的有关项目以及王某2作为发件人或收件人、亥88公司内部邮件等证据，甲89公司任职期间还主持、参与了与戌公司具体技术方案高度相关的研究开发工作。乙90公司期间履行其本职工作所做出的发明创造，丙91公司，在戌公司获授权后，己公司应为专利权人。 丁92公司提出申请，并在时戊93公司；癸32公司在戌公司申请获授权己94公司。庚95公司、乙公司辛96公司之间流转的合理依据，壬97公司、乙公司癸32公司法定代表人、董某2、董某、股东等，癸98公司之间进行转让的便利条件，因此，子99公司丑100公司寅101公司名下的系列变更行为。卯102公司、乙公司系善意受让第三人，辰103公司的合法权益应认定为无效，巳104公司所有。 午105公司、王某2实施侵权所引发的权属纠纷，己公司为提起本案诉讼所支付的律师费15000元，未106公司、申107公司实际发生的损失部分，酉108公司戌109公司、王某2赔偿该笔费用的主张原审法院依法予以支持。 综上，原审法院判决：一、亥110公司所有；二、戊公司、甲111公司维权支出费用15000元。戊公司、王某2如果未按期履行给付义务，应当依据《中华人民共和国民事诉讼法》第二百五十三条之规定，加倍支付迟延履行期间的债务利息。一审案件受理费800元，戊公司、王某2共同负担。 原审法院查明的事实基本属实，本院予以确认。 二审中，戊公司、乙公司、王某2为证明其上诉主张在举证期限内向本院提交了3份证据材料：(1)王某2博士毕业论文的部分内容及其译文；(2)CN101093721A专利文本；(3)CN101093721A专利文本，均用于证明：乙112公司，丙113公司成立前就已经完成。 丁114公司、乙公司、王某2二审提交的证据材料，己公司发表如下质证意见：首先，上述证据材料均属于本案一审前已经形成的证据，不属于二审新证据，不应予以采信。其次，即便采信，认可真实性、合法性，不认可关联性、证明目的。证据材料(1)-(3)均是戌公司申请日前的现有技术，任何人均可在此基础上研发并申请专利，无论与戌公司戊115公司形成，与本案无关，不具有证明力。 戊公司、乙公司、王某2二审提交的证据材料，己116公司的质证意见，本院认证如下：鉴于证据材料(1)-(3)与戌公司技术具有一定关联，己公司认可其真实性、合法性，故本院确认其真实性、合法性，至于其与本案的关联性及证明力，本院将结合全案事实予以综合认定。 本院认为，本案二审争议焦点为：庚117公司处的职务发明。 (一)辛118公司之间存在符合职务发明所要求的劳动关系 发明人与单位之间存在劳动关系或者与《中华人民共和国专利法实施细则》第十二条第二款所称临时工作单位之间存在工作关系，是认定职务发明的前提。丙69公司担任首席运营官、缴纳社会保险记录、薪酬记录、个人所得税缴税记录、王某2接受媒体采访的报道、公司内部邮件往来等证据，足以证明2010年5月至2012年6月期间，壬119公司并从事与新产品开发有关的工作，据此至少可以认定在2010年5月至2012年6月期间，辛118公司之间存在符合职务发明所要求的劳动关系，具备认定职务发明所需要的前提条件。虽然王某2等上诉主张，戊公司卯公司，辰公司巳公司处任职，午公司处任职的创造成果。癸120公司子121公司经营状况来看，丑122公司的身份完成了戌公司申请缺乏事实依据，本院不予支持。 (二)寅123公司工作中完成的发明创造 首先，关于戌公司的申请时间。戌公司申请日为2012年6月20日，在无其他相反证据予以推翻的情况下，可将戌公司的申请日推定为戌公司技术方案的完成日。因此，根据戌公司的申请日，可初步认定诉卯124公司任职期间，符合职务发明关于完成时间的法定要件。 其次，戌公司所要辰125公司任职期间所从事的工作内容具有相关性。戌公司涉及一种线性薄膜磁阻传感器的元件结构、材料的具体设计技术方案。利用该技术方案的薄膜磁阻传感器能形成带聚磁环的闭环电流传感器和不带聚磁环的开环电流传感器，具备磁滞小，精度和线性度高，线性范围可调，工艺简单，响应频率高，成本低，抗干扰性强和温度特性好的优点。巳126公司午127公司“年产10亿个TMR磁阻传感器芯片和10亿个ASIC芯片”和“高性能、低功耗TMR磁传感器芯片的产业化”这两个研发项目的负责人，这些项目所涉领域范围涵盖了戌公司的技术领域。将戌公司的权利要求、未128公司提交的工作邮件沟通内容进行对比，可以看出戌公司权利要求所记载的部分技术特征在工作邮件中均有体现，已经达到了法律对于职务发明内容应与发明人在原单位所从事工作内容存在相关性的基本要求，原审法院对此进行了详细的比对分析，本院不再赘述。因此，未公司从事的工作属于戌公司的技术方案所属技术领域、在技术内容上存在相关性，故原审法申129公司期间履行其本职工作所作出的发明创造具有充分的事实依据。 第三，酉130公司、乙公司和王某2其他上诉主张。戊公司、乙公司、王某2主张，戌公司的诸戌131公司前的论文、专利、项目中，因此，应当认定戌公司前已经作出，己公司仅从相互独立的证据中分别提取了部分技术特征，与戌公司中部分技术特征对应，未亥132公司处作出的情况下，甲133公司主张。对此，本院认为，在涉及职务发明认定的专利权权属纠纷中，当事人认为戌公司技术方案系发明人在入职前已经完成并由此主张戌公司并非职务发明的，应当提交发明人在入职前已经完成戌公司完整技术方案的相关证据。本案中，一方面，虽然诉争专乙134公司前的论文、专利、项目中亦有体现，但并不能根据这些尚未形成一个整体技术方案的技术特征就当然得到戌公司前已经完成的推论。丙135公司、乙公司、王某2二审提交的证据不能达到其证明目的，丁136公司处形成的职务发明。另一方面，诉争专乙134公司前的论文、专利、项目中有体现，并不必然戊137公司工作任务的内容的判断。考虑到王某2的教育经历、工作经历均是围绕戌公司相关领域，己138公司前的论文、专利、项目中出现戌公司相关技术特征亦符合常理。同时，庚139公司工作期间申请的专利，未公司从事的工作内容覆盖了戌公司的技术领域、辛140公司工作内容中已有体现，此时，己公司而言，应当认定其已壬141公司处的本职工作内容存在相关性完成了举证责任，戊公司、乙公司、王某2对此持有异议的，应当提交足够反证予以推翻。但从其提交的证据来看，癸142公司前，王某2已经完成了戌公司的完整技术方案。子143公司、乙公司、王某2的上述主张，本院不予支持。 另外，本案为专利权权属纠纷，丑144公司、寅145公司的专利申请权和专利权，擅自申请专利并登记至自身名下，卯146公司的权利造成损害，符合民事侵权的基本特征，原审法院判令由戊公司、辰147公司为提起本案诉讼所支付的律师费15000元并无不当，本院予以支持。 综上所述，戊公司、乙公司、王某2的上诉请求均不能成立，应予驳回；原审判决认定事实清楚，适用法律正确，应予维持。依照《中华人民共和国民事诉讼法》第一百七十条第一款第一项之规定，判决如下： 驳回上诉，维持原判。 二审案件受理费800元，乙公司、甲公司、王某2共同负担。 本判决为终审判决。 审判长　张某 审判员　傅 蕾 审判员　何 隽 二〇二一年三月二十六日 法官助理牛鸿生 书记员张某2 裁判要点 案号 (2021)最高法知民终49号 案由 专利权权属纠纷 合议庭 审判长：张某 审判员：傅蕾、何某 法官助理：牛鸿生 书记员：张某2 裁判日期 2021年3月26日 戌公司 “线性薄膜磁阻传感器”发明专利(ZL201210205416.8) 关键词 职务发明的认定 当事人 上诉人(原审被告)：甲公司； 上诉人(原审被告)：乙公司； 上诉人(原审被告)：王某2； 被上诉人(原审原告)：丁某。 裁判结果 驳回上诉，维持原判。 原判决主文：一、确认第201210205416.巳148公司所有；二、午149公司、未150公司维权支出费用15000元。 涉案法条 《中华人民共和国专利法》第六条第一款； 《中华人民共和国专利法实施细则》第十二条 法律问题 职务发明的认定 裁判观点 在涉及职务发明认定的专利权权属纠纷中，当事人认为戌公司技术方案系发明人在入职前已经完成并由此主张戌公司并非职务发明的，应当提交发明人在入职前已经完成戌公司完整技术方案的相关证据。 注：本摘要并非裁判文书之组成部分，不具有法律效力。 本案法律依据 中华人民共和国专利法(2008修正) 第6条1款 中华人民共和国专利法实施细则(2010修订) 第12条2款 中华人民共和国民事诉讼法(2017修正) 第170条1款1项 中华人民共和国民事诉讼法(2017修正) 第253条