某控股有限公司与中华人民共和国国家知识产权局发明专利申请驳回复审行政纠纷上诉案

行政> 行政行为> 行政裁决 案 号：(2021)最高法知行终721号 审理法官： 何某 陈健 欧宏伟 文书类型： 判决书 公开类型： 文书公开 审理法院： 最高人民法院 审结日期：2023.07.28 案件类型： 行政二审 审理程序： 二审 权责关键词： 合法 新证据 维持原判 // 某控股甲公司与中华人民共和国国家知识产权局发明专利申请驳回复审行政纠纷上诉案 中华人民共和国最高人民法院 行政判决书 (2021)最高法知行终721号 上诉人(一审原告、专利申请人)：某控股甲公司。住所地：荷兰王国阿姆斯特丹史基浦大街。 代表人：XXXX，该公司授权代理人。 委托诉讼代理人：柯某，中国专利代理(香港)甲公司专利代理师。 委托诉讼代理人：江某，中国专利代理(香港)甲公司专利代理师。 被上诉人(一审被告)：中华人民共和国国家知识产权局。住所地：中华人民共和国北京市海淀区某地。 法定代表人：申某，该局局长。 委托诉讼代理人：徐某，该局审查员。 委托诉讼代理人：袁某，该局审查员。 乙公司与被上诉人中华人民共和国国家知识产权局(以下简称国家知识产权局)发明专利申请驳回复审行政纠纷一案，丙公司、专利申请号为201380058247.2、名称为“波长转换的发光设备”的发明专利申请(以下简称本申请)。国家知识产权局于2019年3月14日作出第173758号复审决定(以下简称被诉决定)，维持其于2017年12月20日作出的驳回本申请的决定；某控股甲公司不服，向中华人民共和国北京知识产权法院提起行政诉讼。该院于2020年11月23日作出(2019)京73行初11503号行政判决，丁公司的诉讼请求；某控股甲公司不服，向本院提起上诉。本院于2021年7月21日立案后，依法组成合议庭，并于2022年7月25日对本案进行了询问，于2023年4月25日对本案进行了公开开庭审理，乙公司的委托诉讼代理人柯某、江某，被上诉人国家知识产权局的委托诉讼代理人徐某、袁某到庭参加诉讼。本案现已审理终结。 本案基本事实如下：本申请系名称为“波长转换的发光设备”的PCT发明专利申请，戊公司，申请号为201380058247.2，专利申请日为2013年10月25日，优先权日为2012年11月7日，进入中国国家阶段日为2015年5月7日，公开日为2015年7月15日。 2017年12月20日，国家知识产权局经其原审查部门审查，决定驳回本申请。主要理由包括：独立权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征为本领域的常规选择；独立权利要求7与对比文件2的区别技术特征，部分被对比文件1公开，部分属于本领域的公知常识；独立权利要求18相对于对比文件2的区别技术特征，部分被对比文件1公开，部分属于本领域的公知常识，因此权利要求1、7、18不具备《中华人民共和国专利法》(2008年修正，以下简称专利法)第二十二条第三款规定的创造性。权利要求1和7的从属权利要求2-6、8-17也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。 国家知识产权局原审查部门引用的对比文件为： 对比文件1：申请公布号为CN102637802A的中国发明专利申请，公开日为2012年8月15日； 对比文件2：申请公布号为CN101855735A的中国发明专利申请，公开日为2010年10月6日。 某控股甲公司对驳回决定不服，于2018年3月26日向国家知识产权局提出了复审请求，并于2018年5月16日提交了修改的权利要求书替换页。作为本案审查基础的修改后的权利要求书如下： “1.一种方法，包括： 提供附接到底座的多个LED； 在LED和底座上方形成波长转换层； 在波长转换层上方形成保护层； 移除波长转换层和保护层的部分；以及 在所述移除波长转换层和保护层之后，在其中移除了波长转换层和保护层的部分的区域中形成直接接触LED的半导体结构的侧面的反射层。 2.权利要求1的方法，其中移除波长转换层和保护层的部分包括从LED之间的区域中移除波长转换层和保护层的部分。 3.权利要求1的方法，其中底座包括邻近LED设置的底座上的金属垫，并且移除波长转换层和保护层的部分包括从金属垫上方的区域中移除波长转换层和保护层的部分。 4.权利要求1的方法，其中形成波长转换层包括在所述多个LED和底座上方层压设置在透明材料中的波长转换材料膜。 5.权利要求1的方法，其中在波长转换层上方形成保护层包括在波长转换层上方层压硅树脂层。 6.权利要求1的方法，其中移除波长转换层和保护层包括锯切波长转换层和保护层。 7.权利要求6的方法，其中锯切终止于底座上。 8.权利要求6的方法，其中锯切终止于设置在底座上的金属垫上。 9.权利要求6的方法，其中锯切终止于波长转换层内。 10.权利要求1的方法，其中形成反射层包括在LED上方形成的保护层上方形成反射层，该方法进一步包括使反射层变薄以便暴露保护层的顶面。 11.权利要求1的方法，进一步包括平坦化顶面，该顶面包括LED所在的区域中的保护层的顶面以及LED之间的区域中的反射层的顶面。 12.一种方法，包括 提供附接到底座的多个半导体发光设备； 在半导体发光设备和底座上方形成波长转换层，该波长转换层包括设置在透明材料中的波长转换材料； 在波长转换层上方形成透明层； 锯切掉波长转换层和透明层的部分； 在透明层上方以及在其中锯切掉波长转换层和透明层的部分的区域中形成直接接触LED的半导体结构的侧面的反射层；以及 移除反射层的部分以便形成平坦表面。” 国家知识产权局于2019年3月14日作出被诉决定，认为：在对比文件2的基础上结合本领域的常规选择获得权利要求1、12所要保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1、12不具备创造性；从属权利要求2-11的附加技术特征或者被对比文件2公开，或者属于本领域的常规选择，权利要求2-11也不具备创造性。据此，国家知识产权局决定维持其于2017年12月20日对本申请作出的驳回决定。 某控股甲公司不服被诉决定，于法定期限内向一审法院提起诉讼，一审法院于2019年9月20日立案受理。某控股甲公司起诉请求：判决撤销被诉决定，责令国家知识产权局重新作出复审决定。事实和理由：被诉决定认定事实及适用法律错误，本申请权利要求具备创造性。(一)基于被诉决定所认定的权利要求1与对比文件2的区别技术特征，本申请实际要解决的技术问题在于：如何杜绝LED侧面的光损失，从而进一步提高LED在垂直于顶面的方向上的提取效率；并进一步简化能够防止从侧面漏光的LED的制作工艺，确保在多个LED被单粒化时，可以容易地保持LED管芯不会从侧部漏光的特性。对比文件2未公开上述特征，也不能达到这种技术效果。(二)对比文件2明确教导了不应当在LED的半导体结构的侧面上形成反射层，甚至给出了完全相反的技术教导。(三)本申请作为方法权利要求，正是利用简便的工艺来制作具备上述结构的LED器件，克服了技术偏见，选择性地忽略方法权利要求在LED制作工艺上带来的有益效果是不恰当的。据此，某控股甲公司请求一审法院撤销被诉决定，责令国家知识产权局重新作出决定。 国家知识产权局辩称：坚持被诉决定中的意见。被诉决定认定事实清楚，适用法律法规正确，审理程序合法，审查结论正确，某控股甲公司的诉讼理由不能成立，请求法院依法驳回某控股甲公司的诉讼请求。 一审法院经审理基本认定了上述事实。另查明： 1.对比文件2为申请公开号为CN101855735A，申请公开日为2010年10月6日的专利申请文献。对比文件2公开了一种发光装置的封装方法，并具体公开了(参见说明书第[0039]-[0086]段，附图5-7)：提供附接到基板210的多个半导体发光元件10，基板210和半导体发光元件10的上方形成荧光体层35；在荧光体层35上方形成密封材38；移除密封材38的部分；以及在移除密封材38之后，在其中移除了密封材的部分的区域中形成反射层40。其中半导体元件10为LED元件，反射层40由添加氧化钛或氧化铝等粉末的树脂或玻璃构成。 2.一审庭审中，某控股甲公司明确表示，认可被诉决定关于权利要求1与对比文件2区别技术特征的认定，并主张权利要求12具备创造性的理由同权利要求1。 3.国家知识产权局一审提交宋露露等主编《LED封装检测与应用》(华中科技大学出版社，2011年11月第一版第一次印刷)，作为公知常识性证据。某控股甲公司认为该证据在复审程序中未提交，不应予以采纳。 一审法院认为： (一)关于权利要求1是否具备创造性 被诉决定认定权利要求1同对比文件2的区别技术特征在于：(1)移除波长转换层的部分，在所述移除波长转换层和保护层之后，在其中移除了波长转换层和保护层的部分的区域中形成反射层；(2)反射层直接接触LED的半导体结构的侧面。基于上述区别技术特征，被诉决定认定权利要求1实际解决的技术问题是，根据实际需要设置反射层。 某控股甲公司对上述区别技术特征的认定不持异议，一审法院予以确认。某控股甲公司主张，本申请实际解决的技术问题是如何杜绝LED侧面的光损失，从而进一步提高LED在垂直于顶面的方向上的提取效率；并进一步简化能够防止从侧面漏光的LED的制作工艺，确保在多个LED被单粒化时，可以容易地保持LED管芯不会从侧部漏光的特性。对此一审法院认为，发明实际解决的技术问题系根据该发明同最接近现有技术存在的区别特征所能达到的技术效果确定。具体到本案中，首先，关于防止侧面漏光的问题。某控股甲公司主张，对比文件2的结构无法避免侧面漏光。己公司的陈述及其绘制的光线示意图来看，某控股甲公司所称的侧面漏光是从发光元件发出的，最终从出光面(顶面)斜向左右射出的光线。庚公司所强调的“侧面”已作了扩大化的理解。事实上，“侧面”是相对“出光面”来说的，通常所说的“防止侧面漏光”就是防止LED发射的光从侧面射出。而反射层在发光装置中的作用就是使发射向侧面的光通过反射、折射等改变出光方向，最终从出光面而非侧面射出，以此提高出光率。对比文件2中，发光元件外设有荧光体层35、密封材38，侧面则设有反射层40，反射层40使得发光元件射出的朝向侧面的光很难从侧面射出(见对比文件2说明书第[0050]段)。由此可见，对比文件2已解决了防止LED发射的光从侧面射出的问题。此外还应指出，荧光体层、密封材等不同材质折射率不同，辛公司所绘制的出射光出射路径正确，其据此得出的结论亦缺乏证据支持。其次，关于提高LED在垂直于顶面的方向上的提取效率。从本申请文件的内容来看，无论是说明书还是附图，均未给出光的反射路径和出射路径，也没有记载反射的光可以垂直于出光面出射。从本申请说明书第[0033]段来看，反射层的主要作用在于防止光从LED60的侧面、波长转换层64的侧面以及保护膜68的侧面逃逸，使得大部分光通过LED60、波长转换层64和保护膜68的顶部被提取。由此可见，反射层的设置还是在于防止LED发射的光从侧面射出，并不能根据区别技术特征得出本申请能够提高LED在垂直于顶面的方向上的提取效率这一结论。第三，关于简化制作工艺。对比文件2与本申请均是采用了在LED半导体结构上形成波长转化层和保护层，然后去除LED半导体结构之间的材料层，形成开口或沟槽，然后再填充反射层的方式，二者都能够达到简化工艺的目的，区别主要在于反射层是否直接接触LED半导体结构侧面。而如前所述，无论反射层是否直接接触发光元件的侧面，均能起到防止LED发射的光从侧面射出的作用。直接接触发光元件的结构出光面积小，出光密度大，不直接接触发光元件的结构出光面积大，二者并不存在绝对的优劣，本领域技术人员可按需选择。因此，根据权利要求1同对比文件2的区别技术特征，被诉决定认定本申请实际要解决的技术问题在于根据实际需要设置反射层，并无不当。 对于前述区别技术特征，某控股甲公司主张，对比文件2技术方案的核心在于提供一种在密封材侧面的整个面上形成反射层，使发光效率提高的半导体发光装置及其制造方法，构成相反技术教导；同时相对于对比文件2，本申请克服了技术偏见；本申请系方法专利，在LED制作工艺上带来了有益效果。 对此一审法院认为，第一，技术偏见，是指在某段时间内、某个技术领域中，技术人员对某个技术问题普遍存在的、偏离客观事实的认识，它引导人们不去考虑其他方面的可能性，阻碍人们对该技术领域的研究和开发。因此，仅对比文件2记载的“在半导体发光元件本身的侧面形成反射层的方法需要在真空室内进行成膜处理，因而未必能称其为适合批量生产的方法”的内容，尚不足以证明在LED本身接触设置反射层构成本领域技术偏见。 第二，在背景技术中，对比文件2披露了其引用的专利文献1和2系用蒸镀膜等金属薄膜构成反射层的示例，为此需要在真空室内进行处理，因而可能不适用于批量生产。上述内容至少表明，反射层接触半导体发光元件本身设置是一种现有技术；在真空室中用蒸镀膜形成金属薄膜构成反射层的方法可能不适合批量生产。换言之，如果不采用此种方法，在半导体发光元件本身的侧面设置反射层就有批量生产的可能性。另外，从对比文件2说明书第[0051]-[0053]段公开的内容来看，反射层的材料可以通过将细微粉末分散在介质中得到，树脂、玻璃等可作为介质，而氧化钛、氧化铝等金属氧化物、金、银、镍等金属微细粉末或者特氟纶等白色系树脂微细粉末可作为微细粉末。上述物质中的树脂、玻璃、氧化铝、特氟纶等均不导电，本领域技术人员可按需选择，不会导致短路。据此，对比文件2公开的内容均不构成相反技术教导。 第三，基于前述分析，反射层接触LED半导体结构或者不接触LED半导体结构这两种设置方式都是本领域现有技术，二者具有不同特点，本领域技术人员可按需选择。当本领域技术人员选择将反射层直接接触LED半导体结构侧面的设置方式应用到对比文件2时，为了实现上述结构，本领域技术人员可以想到移除部分波长转换层，在移除了波长转换层和保护层的部分的区域中形成反射层，这种改变不需要付出创造性劳动。 综上，本申请权利要求1不具备创造性。 (二)关于其他权利要求是否具备创造性 权利要求2-11直接或间接引用权利要求1，权利要求12为独立权利要求。某控股甲公司对权利要求2-11未提出针对性的诉讼主张，权利要求12的诉讼理由同权利要求1。经一审法院审查，被诉决定对权利要求2-12的评述也无不妥，一审法院予以确认。 综上所述，被诉决定认定事实清楚，适用法律正确。某控股甲公司的诉讼请求缺乏事实和法律依据，一审法院不予支持。一审法院依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，判决：“壬公司的诉讼请求。案件受理费人民币一百元，癸公司负担。” 某控股甲公司不服一审判决，向本院提起上诉，请求：撤销一审判决和被诉决定，判令国家知识产权局重新作出复审决定。事实和理由：本申请权利要求1具备创造性，被诉决定与一审判决存在事实认定和法律适用错误。(一)被诉决定与一审判决对本申请实际解决技术问题的认定有误，本申请实际解决的技术问题应为：如何杜绝LED侧面的光损失，从而进一步提高LED在垂直于顶面方向上的提取效率；并进一步简化防止从侧面漏光的LED的制作工艺，确保在多个LED被单粒化时，可以容易地保持LED管芯不会从侧部漏光的特性。(二)对比文件2没有公开区别技术特征，甚至给出了相反的技术教导。1.对比文件2的核心特征就在于“在密封材侧面的整个面(而非在LED的半导体结构的侧面)上形成反射层”，明确教导了不应当在LED的半导体结构的侧面上形成反射层。2.在对比文件2中，金、银、镍等金属微细粉末可以作为反射层所能使用的微细粉末，那么就不可能将反射材43设置为接触LED的半导体结构的侧面，否则将产生灾难性的短路。(三)被诉决定与一审判决忽略了本申请权利要求1作为方法权利要求在LED制作工艺上带来的有益技术效果，是不恰当的。 国家知识产权局辩称：坚持被诉决定的意见。一审法院认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法，请求依法驳回上诉，维持原判。 本院二审期间，某控股甲公司和国家知识产权局均未向本院提交新证据。 本院经审理查明，一审法院认定的事实基本属实，本院予以确认。 本院另查明： 1.某控股甲公司在二审庭审中明确表示，在本申请权利要求1不具备创造性的情况下，不再主张权利要求2-12具备创造性。 2.本申请说明书第[0030]段记载：“在一些实施例中，形成防止光从LED60的侧面逃逸的结构。因此，在图6中，从相邻LED之间的区域70移除波长转换层64和保护膜68。在一些实施例中，区域70中的材料可以经由通过波长转换层64和保护膜68锯切、停止于底座62上被移除……在一些实施例中，波长转换层64的部分和保护膜68通过锯切而移除，使得波长转换层64的部分在锯切之后保留在区域70中。锯切之后保留在LED60之间的波长转换层64的部分可以在后面的处理步骤中移除，或者可以保留为最终结构的部分。” 3.对比文件2说明书公开了以下内容： 第[0001]段记载：“本发明涉及一种为有效地利用从半导体发光元件的侧面射出的光，在密封材的侧面设置了反射层的半导体发光元件及使用了该半导体发光元件的半导体发光装置。” 第[0020]段记载：“本发明的半导体发光装置因为在密封材的侧面形成有反射层，所以从设置在密封材内的半导体发光元件射出的光由于在密封材和反射层之间的界面形成的反射面而进行反射。为此，从半导体发光装置的侧面射出的光减少，能够获得接近理想的面发光的特性。” 第[0050]段记载：“在本发明的半导体发光装置中，在密封材的侧面进一步设置有反射层40。反射层40使从半导体发光元件10射出后朝向侧面的光很难从侧面射出。” 第[0056]段记载：“反射层40设置在密封材38的侧面的至少一部分上。当然，优选的是将反射层40设置在侧面的整个面上。特别是在密封材38的高度方向上都存在反射层为好。这是为了防止光从侧面漏出。” 以上事实有本申请文件、庭审笔录等在案佐证。 本院认为，本申请的申请日在2008年修正的专利法施行日(2009年10月1日)之后、2020年修正的专利法施行日(2021年6月1日)之前，本案应适用2008年修正的专利法。子公司明确表示在权利要求1不具备创造性的情况下，不再主张权利要求2-12具备创造性，故本案二审争议的焦点问题是：本申请权利要求1是否具备创造性。 专利法第二十二条第三款规定：“创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。”判断发明是否具有“突出的实质性特点”，就是要判断对所属领域技术人员而言，要求保护的发明是否显而易见，一般遵循“三步法”：第一步，确定与发明最接近的现有技术；第二步，确定发明与最接近的现有技术的区别技术特征和实际解决的技术问题；第三步，从实际解决的技术问题出发，判断要求保护的发明对所属领域技术人员来说是否显而易见。如果现有技术给出将区别技术特征应用到最接近的现有技术以解决上述技术问题的启示，便意味着所属领域技术人员在面对相同技术问题时有动机对该最接近的现有技术加以改进，进而获得发明要求保护的技术方案，故该发明不具备突出的实质性特点，因而不具备创造性；相反，如果现有技术未给出将区别技术特征应用到最接近的现有技术的启示，则该发明具备突出的实质性特点，结合其带来的有益技术效果，应认定该发明具备创造性。 (一)关于最接近的现有技术和本申请权利要求1的区别技术特征 被诉决定与一审判决认定，以对比文件2为最接近的现有技术，本申请权利要求1与对比文件2的区别技术特征为：(1)移除波长转换层的部分，在所述移除波长转换层和保护层之后，在其中移除了波长转换层和保护层的部分的区域中形成反射层；(2)反射层直接接触LED的半导体结构的侧面。某控股甲公司对上述认定不持异议，本院经审查予以确认。 (二)关于本申请权利要求1实际解决的技术问题 被诉决定与一审判决认定，本申请权利要求1实际解决的技术问题是：根据实际需要设置反射层。某控股甲公司上诉认为，本申请实际解决的技术问题应为：如何杜绝LED侧面的光损失，从而进一步提高LED在垂直于顶面方向上的提取效率；并进一步简化防止从侧面漏光的LED的制作工艺，确保在多个LED被单粒化时，可以容易地保持LED管芯不会从侧部漏光的特性。本院认为，确定发明实际解决的技术问题，应立足于本领域技术人员，根据区别技术特征在发明请求保护的技术方案中所产生的作用、实现的功能与技术效果来确定。 关于杜绝LED侧面的光损失，进一步提高LED在垂直于顶面的方向上的提取效率。某控股甲公司认为，利用本申请所述步骤，LED之间的区域中的反射材料可以防止光从LED的侧面、波长转换层的侧面以及保护膜的侧面逃逸，使得所有的光通过LED、波长转换层和保护膜的顶部被提取。对此本院认为，对比文件2通过在密封材的侧面设置反射层来有效地利用从半导体发光元件的侧面射出的光，防止光从侧面漏出，但因为其反射层并未直接接触半导体发光元件的侧面，不能完全杜绝光线向侧上方射出。在本申请中，由于区别技术特征(2)“反射层直接接触LED的半导体结构的侧面”的存在，使得所有的光线只能从正上方射出，LED在垂直于顶面方向上的提取效率得以进一步提高。因此，基于区别技术特征(2)在本申请权利要求1的技术方案中所产生的作用、实现的功能与技术效果，本申请权利要求1实际解决的技术问题应包括：如何杜绝LED侧面的光损失，进一步提高LED在垂直于顶面方向上的提取效率。被诉决定与一审判决关于“本申请权利要求1实际解决的技术问题为根据实际需要设置反射层”的认定过于上位，应予纠正。某控股甲公司该项上诉理由成立，本院予以支持。 关于进一步简化防止从侧面漏光的LED的制作工艺，确保在多个LED被单粒化时，可以容易地保持LED管芯不会从侧部漏光的特性。某控股甲公司认为，利用对比文件2附图7(A)的方法步骤得到的中间产品结构，若切割时未精确对准反射材43，将会导致形成的单粒产品一侧甚至两侧都没有反射材43，使得侧向漏光的情况更加严重；但本申请在移除波长转换层和保护层之后，形成直接接触LED半导体结构侧面的反射层，在切割时即使未精确对准反射材料，也能容易地确保“直接接触LED半导体结构侧面的反射层”这样的结构保留在产品中。对此本院认为，根据本申请权利要求1限定的方法，在“形成直接接触LED半导体结构侧面的反射层”之前，需要“移除波长转换层和保护层的部分”，但权利要求1未限定“如何移除”。根据本申请说明书第[0030]段记载和附图6所示，这一“移除”步骤需要通过锯切的方式去除相邻LED之间的区域70中的材料。可见，为了确保后续步骤中反射材料可以紧贴LED，该项锯切操作也需要紧贴LED，这对加工精度要求极高，稍有偏差要么损坏LED，要么无法实现反射材料紧贴LED的目的。因此，本申请虽然在“切割”工序对精度要求不高，但这是以前序“移除”工序高精度要求为基础的，故本申请权利要求1相比于对比文件2并不能带来简化制作工艺的技术效果。某控股甲公司该项上诉理由不能成立，本院不予支持。 综上，以对比文件2为最接近的现有技术，本申请权利要求1实际解决的技术问题为“如何杜绝LED侧面的光损失，进一步提高LED在垂直于顶面方向上的提取效率”。 (三)关于本申请权利要求1的技术方案对本领域技术人员来说是否显而易见 根据《最高人民法院关于审理专利授权确权行政案件适用法律若干问题的规定(一)》第十三条第二款的规定，被诉决定对权利要求实际解决的技术问题未认定或者认定错误的，不影响人民法院对权利要求的创造性依法作出认定。 本案中，对比文件2说明书第[0001]段已经概括性地记载了该发明的目的为“有效地利用从半导体发光元件的侧面射出的光”，所采用的技术手段为“在密封材的侧面设置反射层”，后续部分又详细说明了具体的实现方法和技术效果，如第[0050]段记载“在密封材的侧面进一步设置有反射层40，反射层40使从半导体发光元件10射出后朝向侧面的光很难从侧面射出”，第[0056]段记载“优选的是将反射层40设置在侧面的整个面上……这是为了防止光从侧面漏出”，第[0020]段记载“本发明的半导体发光装置因为在密封材的侧面形成有反射层……从半导体发光装置的侧面射出的光减少，能够获得接近理想的面发光的特性”。因此，当本领域技术人员面对“如何杜绝LED侧面的光损失，进一步提高LED在垂直于顶面的方向上的提取效率”这一技术问题时，对比文件2已经明确给出了在侧面设置反射层的技术启示。在此基础上，本领域技术人员周知，反射层与发光元件之间的距离越大，出光面积越大，光线越容易从侧面散射；反射层离发光元件越近，则出光面积越小，光线越难以从侧面逃逸，将愈加集中于从垂直于顶面的方向射出；当反射层逐渐逼近LED发光元件，直至与发光元件侧面直接接触时，出光面积最小，光线无法从侧面逃逸，LED在垂直于顶面方向上的提取效率最高。因此，根据实际需要合理调整反射层与LED发光元件的距离并移除部分荧光层或密封材料让反射层与LED侧面的距离逐步缩小乃至直接接触，使得光线在垂直方向进一步集中，对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，本申请权利要求1的技术方案不具有突出的实质性特点，从而不具备创造性，被诉决定和一审判决的相关认定正确。 某控股甲公司上诉主张，对比文件2提供了相反的技术启示。第一，对比文件2的核心特征就在于“在密封材侧面的整个面上形成反射层”，明确教导了不应当在LED的半导体结构的侧面上形成反射层。对此本院认为，当反射层足够接近LED时，无论有无直接接触，均能取得良好的防止光线侧漏的技术效果。因为半导体发光装置整体尺寸较小，中间的密封材厚度较薄，反射层充分接近LED时，出光面积也逼近最小值，光线很难从侧面散逸，即使没有直接接触，也可以实现本申请取得的技术效果。第二，由于金、银、镍等金属微细粉末可以作为反射层所能使用的微细粉末，那么就不可能将反射材43设置为接触LED的半导体结构的侧面，否则将产生灾难性的短路。对此本院认为，对比文件2说明书第[0051]-[0053]段公开了反射层的材料可以通过将金属氧化物、金属或特氟纶等白色系树脂的细微粉末分散在树脂、玻璃等介质中得到，树脂、玻璃、金属氧化物、特氟纶等材料均不导电，本领域技术人员可按需选择，不会导致短路。因此，某控股甲公司该项上诉理由不能成立，本院不予支持。 某控股甲公司上诉还主张，被诉决定与一审判决在评述创造性时忽略了本申请权利要求1作为方法权利要求在LED制作工艺上带来的有益技术效果。对此本院已在“关于本申请权利要求1实际解决的技术问题”部分进行了评述，本申请虽然在“切割”工序对精度要求不高，但这是以前序“移除”工序高精度要求为基础的，故本申请权利要求1相比于对比文件2并不能带来简化制作工艺的技术效果。某控股甲公司该项上诉理由亦不能成立，本院不予支持。 综上所述，被诉决定与一审判决关于本申请权利要求1不具备创造性的认定并无不当。子公司在庭审中明确表示，在本申请权利要求1不具备创造性的情况下，不再主张权利要求2-12具备创造性，本院经审查对被诉决定与一审判决关于权利要求2-12不具备创造性的认定予以确认。 综上所述，某控股甲公司的上诉请求不能成立，应予驳回。一审判决认定事实基本清楚，适用法律正确，应予维持。根据《中华人民共和国行政诉讼法》第八十九条第一款第一项之规定，判决如下： 驳回上诉，维持原判。 二审案件受理费人民币100元，由某控股甲公司负担。 本判决为终审判决。 审 判 长　何 鹏 审 判 员　陈 健 审 判 员　欧宏伟 二〇二三年七月二十八日 法官助理　孙 阳 书 记 员　管 众 本案法律依据 中华人民共和国行政诉讼法(2017修正) 第69条 中华人民共和国行政诉讼法(2017修正) 第89条1款1项 中华人民共和国专利法(2000修正) 第22条3款 最高人民法院关于审理专利授权确权行政案件适用法律若干问题的规定(一) 第13条2款