甲公司与中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会发明专利申请驳回复审行政纠纷上诉案

甲公司与中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会发明专利申请驳回复审行政纠纷上诉案 北京市高级人民法院 行政判决书 (2014)高行终字第1212号 上诉人（原审原告）甲公司，住所地美利坚合众国印第安纳州。 法定代表人托姆·雷丁顿，运营副总裁。 委托代理人王某，中国专利代理（香港）乙公司职员。 委托代理人李某，中国专利代理（香港）乙公司职员。 被上诉人（原审被告）中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会，住所地中华人民共和国北京市海淀区某地银谷大厦10-12层。 法定代表人张某，副主任。 委托代理人周某，中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会审查员。 委托代理人房宝盛，中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会审查员。 丙公司（丁公司）因发明专利申请驳回复审行政纠纷一案，不服中华人民共和国北京市第一中级人民法院（简称北京市第一中级人民法院）（2013）一中行初字第1223号行政判决，向本院提起上诉。本院2014年3月24日受理后，依法组成合议庭，于2014年7月16日公开开庭进行了审理。戊公司的委托代理人王某，被上诉人中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）的委托代理人周某、房宝盛到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。 己公司就其名称为“利用低损耗材料的高效高速电气装置”的发明专利申请（申请号为200480008612.X，简称本申请）所提出的复审申请，专利复审委员会于2012年6月18日作出第43631号驳回复审决定（简称被诉决定），决定：维持中华人民共和国国家知识产权局（简称国家知识产权局）于2009年4月3日对本申请作出的驳回决定。庚公司不服，向北京市第一中级人民法院提起行政诉讼。 北京市第一中级人民法院认为： 本案焦点问题为本申请是否符合2001年施行的《中华人民共和国专利法》（简称《专利法》）第三十三条的规定。修改后的权利要求1和13在以下部分作出修改，“其中，所述装置具有等于或小于0.5的每极每相槽沟比率（SPP），所述SPP是所述定子组件的整体磁芯的槽沟数除以所述转子的极数和所述定子组件相位数的比率”，庚公司认为修改的内容在原说明书（中文文本）第12页第2段中有记载。经核实，说明书第12页第2段记载如下：“图2举例说明一个已经缠绕了定子绕组22的整体的单体的定子磁芯20。缠绕了定子绕组22的定子20设置入环形外壳内，并用适当的有机电介质封装。可以用金属丝把多个槽沟连接成共同的磁段，使之对应于每极每相位槽沟数(SPP)的值约为0.5，式中SPP比率是定子磁芯槽沟数目除以定子绕组的相数和DC极数(SPP＝槽沟数/相数/极数)。”对比可见，权利要求1和13中关于“每极每相槽沟比率(SPP)”的名称和SPP比率的定义均与说明书该段记载的有所不同，本领域技术人员不能从原说明书中直接地、毫无疑义地确定权利要求1和13中增加的上述内容。同时，权利要求1和13中记载的是“至少一个定子组件”中的“定子组件的整体磁芯的槽沟数”，而原说明书第12页第2段记载的是“一个已经缠绕了定子绕组22的整体的单体的定子磁芯20”。本领域技术人员不能直接地、毫无疑义地确定权利要求1和13中记载的至少一个定子组件中的整体磁芯就是说明书中整体的单体的定子磁芯。辛公司对权利要求1和13的修改不符合《专利法》第三十三条的规定。被诉决定对此认定正确，应予维持。 综上，北京市第一中级人民法院依照《中华人民共和国行政诉讼法》第五十四条第（一）项之规定，判决：维持被诉决定。 庚公司不服原审判决，向本院提起上诉，请求撤销原审判决及被诉决定，其主要理由为：一、被诉决定没有从整体上分析原说明书全文，只是列举了原说明书第12页第2段的内容，在指出“每极每相槽沟比率(SPP)的名称和SPP比率的定义均与说明书记载的有所不同”之后，没有从本领域技术人员角度去阅读和参考原说明书整体内容，就直接得出“本领域技术人员不能从原说明书和权利要求书文字记载的内容以及说明书附图直接地、毫无疑义地确定”，是错误的。二、本申请的权利要求完全符合《专利法》第三十三条的规定。本领域技术人员在阅读和理解原说明书全文后，完全可以从原说明书中直接和毫无疑义地确定出：1、权利要求中的“每极每相位槽沟比率(SPP)”就是说明书中的“每极每相位槽沟数(SPP)”，也是“每极每相位槽沟数比率”，因为本领域技术人员毫无疑问能够确定，SPP是一个数，也是一个比率，它是一个比率数，它是定子磁芯槽沟数目除以定子绕组的相数和DC极数，用简单的公示表示就是：SPP=槽沟数/相数/极数；2、权利要求中的“定子组件的整体磁芯的槽沟数”就是说明书中的“定子磁芯的槽沟数”，因为本领域技术人员根据说明书的教导能够直接、毫无疑义地确定：定子是一个组件，其磁芯结构是“整体的”；3、权利要求中的“转子的极数”就是说明书中的“DC级数”，因为本领域技术人员根据说明书的教导能够直接、毫无疑义地确定“在计算SPP值时，磁极是指与改变着的磁场互相作用的DC磁场。因此，在所述推荐实施例中，永久磁铁装在转子上提供DC磁场，由此得出DC极数”；4、权利要求中的“定子组件相位数”就是说明书中的“定子绕组相数”，因为本领域技术人员根据说明书的教导能够直接毫无疑问地确定定子组件就是定子绕组，相位数就是相数。综上，本申请权利要求中的技术特征“所述装置具有等于或小于0.5的每极每相槽沟比率(SPP)，所述SPP是所述定子组件的整体磁芯的槽沟数除以所述转子的极数和所述定子组件相位数的比率”完全能够从原说明书中直接和毫无疑义地确定，因而本申请独立权利要求1和13是符合《专利法》第三十三条规定的。相应地，直接地和间接地引用上述未超出修改范围的各独立权利要求的从属权利要求也是符合《专利法》第三十三条规定的。原审判决及被诉决定事实认定不清、法律适用错误。 专利复审委员会服从原审判决。 经审理查明： 庚公司于2004年1月30日向国家知识产权局申请名称为“利用低损耗材料的高效高速电气装置”的发明专利（即本申请），申请号为第200480008612.X号，优先权日为2003年1月30日、2003年10月21日，公开日为2006年10月4日。 在实质审查过程中，国家知识产权局原实质审查部门于2009年4月3日发出驳回决定，驳回了本申请，理由是：权利要求1－16不具备《专利法》第二十二条第三款规定的创造性，引用的对比文件为对比文件1（US4187441，公开日为1980年2月5日）和对比文件2（US6462456B1，公开日为2002年10月8日）。驳回决定所依据的文本为进入中国国家阶段时提交的国际申请文件的中文译文中的说明书第1－26页、附图第1－12页、摘要及摘要附图，2009年2月4日提交的权利要求第1－16项。驳回决定所针对的本申请的权利要求书如下： “1.一种电磁装置，它包括： (a)至少一个定子组件，它包括由低损耗软磁材料制成的整体磁芯，其中，所述整体磁芯包括若干槽沟，并且其中，以定子绕组缠绕所述槽沟；以及 (b)至少一个磁场组件，它包括多个磁极，所述磁场组件配置和排列成与所述至少一个定子磁相互作用， 其中，所述低损耗软磁材料的特征是：磁芯损失小于‘L’，式中L由下式给出：L＝12·f·B1.5+30·f2.3·B2.3，其中， L是损失，以W/kg为单位， f是频率，以KHz为单位，以及 B是峰值磁通密度，以特斯拉为单位；并且 其中，所述电磁装置的频率在所述装置运行的过程中高于300Hz。 2.如权利要求1所述的装置，其中所述装置是轴向气隙装置。 3.如权利要求1所述的装置，其中所述电磁装置的频率在所述装置运行的过程中大于约400Hz。 4.如权利要求1所述的装置，其中所述装置的频率在所述装置运行的过程中处在400Hz和1000Hz之间。 5.如权利要求1所述的装置，其中所述装置的频率在所述装置运行的过程中为大约1000Hz。 6.如权利要求1所述的装置，其中所述低损耗软磁材料是非晶金属。 7.如权利要求1所述的装置，其中所述低损耗软磁材料是毫微晶金属。 8.如权利要求1所述的装置，其中所述低损耗软磁材料是优化的Si-Fe合金。 9.如权利要求1所述的装置，其中所述整体磁芯也是单体磁芯。 10.如权利要求1所述的装置，其中所述装置的每极每相槽沟数为大约0.5。 11.如权利要求1所述的装置，其中所述磁场组件是转子。 12.如权利要求1所述的装置，其中所述多个磁极包括36极。 13.如权利要求1所述的装置，其中所述多个磁极在大于约12,000转/分的速度下多于4个磁极。 14.一种制造电磁装置的方法，所述方法包括： (a)选择低损耗软磁材料，所述低损耗软磁材料的特征在于磁芯损失小于‘L’，式中L由下式给出： L＝12·f·B1.5+30·f2.3·B2.3，式中， L是损失，以W/kg为单位， f是频率，以KHz为单位，以及 B是峰值磁通密度，以特斯拉为单位； (b)提供至少一个定子组件，它包括由所述低损耗软磁材料制成的整体磁芯； (c)在所述槽沟中设置定子绕组；以及 (d)提供至少一个磁场组件，所述至少一个磁场组件包括用于与所述定子绕组磁互相作用的多个磁极。 15.如权利要求14所述的方法，其中所述电磁装置是轴向气隙装置。 16.如权利要求14所述的方法，其中所述磁场组件是转子。” 庚公司不服上述驳回决定,于2009年7月20日向专利复审委员会提出复审请求，同时修改了权利要求书。庚公司认为：修改后的独立权利要求1和13相对于对比文件1和2具备新颖性和创造性。新修改的权利要求书如下： “1.一种多相轴向气隙电磁装置，它包括： (a)至少一个定子组件，它包括由低损耗软磁材料制成的整体磁芯，其中，所述整体磁芯包括若干槽沟，并且其中，以多个定子相绕组缠绕所述槽沟；以及 (b)至少一个磁场组件，它包括多个磁极，所述磁场组件配置和排列成与所述至少一个定子磁相互作用， 其中，所述装置具有等于或小于0.5的每极每相槽沟比率(SPP)，所述SPP是所述定子组件的槽沟数除以所述转子的极数和所述定子相绕组数的比率，以及 其中，所述低损耗软磁材料的特征是：磁芯损失小于‘L’，式中L由下式给出：L＝12·f·B1.5+30·f2.3·B2.3， L是损失，以W/kg为单位， f是频率，以KHz为单位，以及 B是峰值磁通密度，以特斯拉为单位；并且 其中，所述电磁装置的频率在所述装置运行的过程中高于300Hz。 2.如权利要求1所述的装置，其中，所述电磁装置的频率在所述装置运行的过程中大于约400Hz。 3.如权利要求1所述的装置，其中，所述装置的频率在所述装置运行的过程中处在400Hz和1000Hz之间。 4.如权利要求1所述的装置，其中，所述装置的频率在所述装置运行的过程中为大约1000Hz。 5.如权利要求1所述的装置，其中，所述低损耗软磁材料是非晶金属。 6.如权利要求1所述的装置，其中，所述低损耗软磁材料是毫微晶金属。 7.如权利要求1所述的装置，其中，所述低损耗软磁材料是优化的Si-Fe合金。 8.如权利要求1所述的装置，其中，所述整体磁芯也是单体磁芯。 9.如权利要求1所述的装置，其中，所述装置的每极每相槽沟数为大约0.5。 10.如权利要求1所述的装置，其中，所述磁场组件是转子。 11.如权利要求1所述的装置，其中，所述多个磁极包括36极。 12.如权利要求1所述的装置，其中，所述多个磁极在大于约30,000转/分的速度下多于4个磁极。 13.一种制造多相轴向气隙电磁装置的方法，所述方法包括： (a)选择低损耗软磁材料，所述低损耗软磁材料的特征在于磁芯损失小于‘L’，式中L由下式给出： L＝12·f·B1.5+30·f2.3·B2.3，式中： L是损失，以W/kg为单位， f是频率，以KHz为单位，以及 B是峰值磁通密度，以特斯拉为单位； (b)提供至少一个定子组件，它包括由所述低损耗软磁材料制成的整体磁芯； (c)在所述槽沟中设置多个定子相绕组；以及 (d)提供至少一个磁场组件，所述至少一个磁场组件包括用于与所述定子绕组磁互相作用的多个磁极； 其中，所述装置具有等于或小于0.5的每极每相槽沟比率(SPP)，所述SPP是所述定子组件的槽沟目除以所述转子的极数和所述定子相绕组数的比率。 14.如权利要求13所述的方法，其中，所述磁场组件是转子。” 原审查部门在前置审查意见书中认为，对权利要求1、12和13的修改超出原说明书和权利要求书记载的范围，不符合《专利法》第三十三条的规定，因而坚持原驳回决定。 专利复审壬公司发出复审通知书，指出：随复审请求书提交的经修改的权利要求1、12和13超出原说明书和权利要求书记载的范围，不符合《专利法》第三十三条的规定。 庚公司于2011年12月15日提交了意见陈某书，再次修改了权利要求书。庚公司认为修改后的权利要求1和13与说明书中关于SPP的描述是一致的，权利要求12能够得到原始公开的PCT申请说明书第15页第14行的支持。 2011年12月15日提交的权利要求书如下： “1.一种多相轴向气隙电磁装置，它包括： (a)至少一个定子组件，它包括由低损耗软磁材料制成的整体磁芯，其中，所述整体磁芯包括若干槽沟，并且其中，以多个定子相绕组缠绕所述槽沟；以及 (b)至少一个磁场组件，它包括多个磁极，所述磁场组件配置和排列成与所述至少一个定子磁相互作用， 其中，所述装置具有等于或小于0.5的每极每相槽沟比率(SPP)，所述SPP是所述定子组件的整体磁芯的槽沟数除以所述转子的极数和所述定子组件相位数的比率，以及 其中，所述低损耗软磁材料的特征是：磁芯损失小于‘L’，式中L由下式给出：L＝12·f·B1.5+30·f2.3·B2.3， L是损失，以W/kg为单位， f是频率，以KHz为单位，以及 B是峰值磁通密度，以特斯拉为单位；并且 其中，所述电磁装置的频率在所述装置运行的过程中高于300Hz。 2.如权利要求1所述的装置，其中，所述电磁装置的频率在所述装置运行的过程中大于约400Hz。 3.如权利要求1所述的装置，其中，所述装置的频率在所述装置运行的过程中处在400Hz和1000Hz之间。 4.如权利要求1所述的装置，其中，所述装置的频率在所述装置运行的过程中为大约1000Hz。 5.如权利要求1所述的装置，其中，所述低损耗软磁材料是非晶金属。 6.如权利要求1所述的装置，其中，所述低损耗软磁材料是毫微晶金属。 7.如权利要求1所述的装置，其中，所述低损耗软磁材料是优化的Si-Fe合金。 8.如权利要求1所述的装置，其中，所述整体磁芯也是单体磁芯。 9.如权利要求1所述的装置，其中，所述装置的每极每相槽沟数为大约0.5。 10.如权利要求1所述的装置，其中，所述磁场组件是转子。 11.如权利要求1所述的装置，其中，所述多个磁极包括36极。 12.如权利要求1所述的装置，其中，所述多个磁极能够在具有1，000的换向频率的每分钟30,000圈旋转的速度下工作。 13.一种制造多相轴向气隙电磁装置的方法，所述方法包括： (a)选择低损耗软磁材料，所述低损耗软磁材料的特征在于磁芯损失小于‘L’，式中L由下式给出： L＝12·f·B1.5+30·f2.3·B2.3，式中： L是损失，以W/kg为单位， f是频率，以KHz为单位，以及 B是峰值磁通密度，以特斯拉为单位； (b)提供至少一个定子组件，它包括由所述低损耗软磁材料制成的整体磁芯； (c)在所述槽沟中设置多个定子相绕组；以及 (d)提供至少一个磁场组件，所述至少一个磁场组件包括用于与所述定子绕组磁互相作用的多个磁极； 其中，所述装置具有等于或小于0.5的每极每相槽沟数(SPP)，所述SPP是所述定子组件的所述整体磁芯的槽沟数除以所述转子的极数和所述定子相绕组数的比率。 14.如权利要求13所述的方法，其中，所述磁场组件是转子。” 在上述程序的基础上，专利复审委员会于2012年6月18日作出被诉决定，认定： …… 2、关于《专利法》第三十三条 修改后的权利要求1和13在以下部分作出了修改“其中，所述装置具有等于或小于0.5的每极每相槽沟比率（SPP），所述SPP是所述定子组件的整体磁芯的槽沟数除以所述转子的极数和所述定子组件相位数的比率”，庚公司认为修改的内容在原说明书（中文文本）第12页第2段中有记载。 经核实，说明书第12页第2段记载如下：“图2举例说明一个已经缠绕了定子绕组22的整体的单体的定子磁芯20。缠绕了定子绕组22的定子20设置入环形外壳内，并用适当的有机电介质封装。可以用金属丝把多个槽沟连接成共同的磁段，使之对应于每极每相位槽沟数(SPP)的值约为0.5，式中SPP比率是定子磁芯槽沟数目除以定子绕组的相数和DC极数(SPP＝槽沟数/相数/极数)。” 对比可见，权利要求1和13中关于“每极每相槽沟比率(SPP)”的名称和SPP比率的定义均与说明书该段记载的有所不同，本领域技术人员不能从原说明书中直接地、毫无疑义地确定权利要求1和13中增加的上述内容，对权利要求1和13的修改不符合《专利法》第三十三条的规定。 综上所述，庚公司于2011年12月15日提交的权利要求书修改文本没有克服复审通知书指出的缺陷，仍然不符合《专利法》第三十三条的规定。专利复审委员会决定：维持国家知识产权局于2009年4月3日对本申请作出的驳回决定。 上述事实，有本申请进入中国国家阶段时提交的国际申请文件的中文译文中的说明书第1－26页、附图第1－12页、2011年12月15日提交的权利要求第1-14项、被诉决定以及当事人陈某等证据在案佐证。 本院认为： 本案适用2001年施行的《专利法》进行审理。根据各方当事人的诉辩主张，本案二审的焦点问题为本申请权利要求1和13的修改是否符合《专利法》第三十三条的规定。 《专利法》第三十三条规定：申请人可以对其专利申请文件进行修改，但是，对发明和实用新型专利申请文件的修改不得超出原说明书和权利要求书记载的范围。一般而言，原说明书和权利要求书记载的范围包括原说明书和权利要求书文字记载的内容和根据原说明书和权利要求书文字记载的内容以及说明书附图能直接地、毫无疑义地确定的内容。但是，如果申请的内容通过增加、改变和／或删除其中的一部分，致使所属技术领域的技术人员看到的信息与原申请记载的信息不同，而且又不能从原申请记载的信息中直接地、毫无疑义地确定，那么，这种修改是不允许的。 被诉决定所依据的权利要求1和13的修改部分为“其中，所述装置具有等于或小于0.5的每极每相槽沟比率（SPP），所述SPP是所述定子组件的整体磁芯的槽沟数除以所述转子的极数和所述定子组件相位数的比率”。庚公司认为修改的内容在原说明书（中文文本）第12页第2段中记载的内容为：“图2举例说明一个已经缠绕了定子绕组22的整体的单体的定子磁芯20。缠绕了定子绕组22的定子20设置入环形外壳内，并用适当的有机电介质封装。可以用金属丝把多个槽沟连接成共同的磁段，使之对应于每极每相位槽沟数(SPP)的值约为0.5，式中SPP比率是定子磁芯槽沟数目除以定子绕组的相数和DC极数(SPP＝槽沟数/相数/极数)。” 将权利要求1和13的修改与原说明记载的上述内容相比，至少有：（1）权利要求1和13的“所述装置”包括至少一个定子组件，定子组件上的整体磁蕊由多个定子相绕组，故“所述装置”具有的SPP的定子组件并不确切，原说明书公开了的SPP对应于“一个已经缠绕了定子绕组22的整体的单体的定子磁芯20”；（2）权利要求1和13的SPP比率等于或小于0.5，原说明书公开的SPP数值约为0.5；（3）权利要求1所述SPP是所述定子组件的整体磁芯的槽沟数除以所述转子的极数和所述定子组件相位数的比率，结合权利要求1的（a）部分，该相位数为定子组件，而定子组件包括多个定子相绕组缠绕，原说明书所述SPP比率是定子磁芯槽沟数目除以定子绕组的相数和DC极数，该相数就是定子绕组，二者的概念、数量均不相同。因此，权利要求1和13中关于“每极每相槽沟比率(SPP)”的名称和SPP比率的定义均与原说明书该段记载的有所不同，本领域技术人员不能从原说明书中直接地、毫无疑义地确定权利要求1和13中增加的上述内容。故本申请权利要求1和13的修改不符合《专利法》第三十三条的规定。原审法院及专利复审委员会对此认定正确。庚公司的相关上诉主张，缺乏依据，本院不予支持。 综上所述，原审判决认定事实清楚，适用法律正确，程序合法，应予维持。庚公司的上诉理由均不能成立，对其上诉请求，本院不予支持。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十一条第（一）项之规定，判决如下： 驳回上诉，维持原判。 一、二审案件受理费各人民币一百元，癸公司负担（均已交纳）。 本判决为终审判决。 审　判　长　　李燕蓉 代理审判员　　孔某 代理审判员　　吴　斌 二〇一四年十二月十日 书　记　员　　郭雪洁 书　记　员　　郑皓泽 本案法律依据 中华人民共和国专利法(2000修正) 第22条3款 中华人民共和国专利法(2000修正) 第33条 中华人民共和国行政诉讼法 第54条1款1项 中华人民共和国行政诉讼法 第61条1款1项