甲公司与中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会发明专利申请驳回复审行政纠纷上诉案

行政> 行政行为> 行政裁决 案 号：(2010)高行终字第513号 审理法官： 刘某 岑宏宇 石某 文书类型： 判决书 公开类型： 文书公开 审理法院： 北京市高级人民法院 审结日期：2010.07.20 案件类型： 行政二审 审理程序： 二审 代理律师/律所：陶某,某律师事务所; 权责关键词： 行政判决 维持原判 // 甲公司与中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会发明专利申请驳回复审行政纠纷上诉案 北京市高级人民法院 行政判决书 (2010)高行终字第513号 上诉人（原审原告）甲公司，住所地中华人民共和国台湾地区新竹科学工业园区新竹市力行二路一号。 法定代表人李某，董某。 委托代理人陶某，某律师事务所律师。 委托代理人邱某。 被上诉人（原审被告）中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会，住所地中华人民共和国北京市海淀区某地银谷大厦。 法定代表人张某，副主任。 委托代理人关某，该委员会审查员。 委托代理人王某，该委员会审查员。 乙公司（丙公司）因发明专利申请驳回复审行政纠纷一案，不服中华人民共和国北京市第一中级人民法院（简称北京市第一中级人民法院）（2009）一中知行初字第2717号行政判决，向本院提起上诉。本院2010年3月9日受理本案后，依法组成合议庭，于2010年4月7日公开开庭进行了审理。丁公司的委托代理人邱某，被上诉人中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）的委托代理人关某、王某2庭参加诉讼。本案现已审理终结。 北京市第一中级人民法院认定，2004年7月20日，戊公司提出了名称为“多晶硅层结构与其形成方法以及平面显示器”的发明专利申请（简称本申请）。2008年7月18日，中华人民共和国国家知识产权局（简称国家知识产权局）以本申请权利要求1和9不符合2000年修正的《中华人民共和国专利法》（简称专利法）第二十二条第三款规定的创造性为由驳回了本申请。戊公司不服，于2008年9月18日向专利复审委员会提出复审请求。2009年6月23日，专利复审委员会作出第17681号复审请求审查决定（简称第17681号决定），维持了国家知识产权局的驳回决定。 北京市第一中级人民法院认为，在多晶硅这一技术领域，激光晶化法的非晶硅层厚度与晶粒尺寸大小的关系属于公知常识。造成本申请权利要求1中驱动电路区的厚度小于显示区的厚度，而证据1中驱动电路区的厚度大于显示区的厚度的原因在于，本申请和证据1在从非晶硅层到多晶硅层时使用的结晶技术手段不同。对于本领域技术人员而言，本申请权利要求1的技术方案是显而易见的。权利要求1不具备创造性，权利要求2-9也不具备创造性。 北京市第一中级人民法院依照《中华人民共和国行政诉讼法》第五十四条第（一）项之规定，判决：维持专利复审委员会作出的第17681号决定。 戊公司不服原审判决，向本院提起上诉，请求撤销第17681号决定和原审判决。其上诉理由为：专利复审委员会和原审法院认定“激光晶化法的非晶硅层的厚度与晶粒尺寸大小的关系”为公知常识，没有证据支持；本申请与证据1的技术方案明显不同，相对于证据1具备创造性。专利复审委员会服从原审判决。 本院经审理查明： 本申请是名称为“多晶硅层结构与其形成方法以及平面显示器”、申请号为200410069995.3的发明专利申请，申请日为2004年7月20日，公开日为2005年3月2日，己公司。 国家知识产权局于2008年7月18日驳回了本申请，理由是本申请权利要求1和9不符合专利法第二十二条第三款规定的创造性。驳回决定所依据的文本是2008年5月4日提交的权利要求第1-9项，以及于2004年7月20日提交的说明书第1-9页、附图第1-7页、说明书摘要和摘要附图。国家知识产权局驳回决定所针对的权利要求书如下： “1.一种多晶硅层结构，包括： 一第一多晶硅层以及一第二多晶硅层，其中该第一多晶硅层的厚度小于该第二多晶硅层的厚度，且该第一多晶硅层的晶粒尺寸大于该第二多晶硅层的晶粒尺寸，其中该第一多晶硅层位于一驱动电路区中且该第二多晶硅层位于一显示区中。 2.如权利要求1所述的多晶硅层结构，其中该第一多晶硅层与该第二多晶硅层的厚度差大体为100～1000埃。 3.如权利要求2所述的多晶硅层结构，其中该第一多晶硅层与该第二多晶硅层的厚度差大体为200～400埃。 4.如权利要求1所述的多晶硅层结构，其中该第一多晶硅层的表面粗糙度大于该第二多晶硅层的表面粗糙度。 5.如权利要求1所述的多晶硅层结构，还包括： 一第三多晶硅层，该第三多晶硅层的厚度大于该第一多晶硅层的厚度且该第三多晶硅层的厚度小于该第二多晶硅层的厚度，以及该第三多晶硅层的晶粒尺寸小于该第一多晶硅层的晶粒尺寸且该第三多晶硅层的晶粒尺寸大于该第二多晶硅层的晶粒尺寸。 6.如权利要求5所述的多晶硅层结构，其中该第三多晶硅层的表面粗糙度小于该第一多晶硅层的粗糙度，且该第三多晶硅层的表面粗糙度大于该第二多晶硅层的粗糙度。 7.一种多晶硅层的形成方法，包括：提供基材包括第一部份与第二部份；分别形成第一非晶硅层与第二非晶硅层于上述第一部份与上述第二部份上，且该第一非晶硅层的厚度小于该第二非晶硅层的厚度；以及对该第一非晶硅层与该第二非晶硅层进行结晶处理，以同时形成第一多晶硅层与第二多晶硅层，其中该第一多晶硅层的晶粒尺寸大于该第二多晶硅层的晶粒尺寸。 8.一种多晶硅层的形成方法，包括：提供基材包括第一部份、第二部份与第三部份；分别形成第一非晶硅层、第二非晶硅层与第三非晶硅层于该第一部份上、该第二部份上与该第三部份上，且该第一非晶硅层的厚度小于该第二非晶硅层的厚度，且该第二非晶硅层的厚度小于该第三非晶硅层的厚度；以及对该第一非晶硅层、该第二非晶硅层与该第三非晶硅层进行结晶处理，以同时形成第一多晶硅层、第二多晶硅层与第三多晶硅层，其中该第一多晶硅层的晶粒尺寸大于该第二多晶硅层的晶粒尺寸，该第二多晶硅层的晶粒尺寸大于该第三多晶硅层的晶粒尺寸。 9.一种平面显示器，包括：第一晶体管，设置于驱动电路区中，该第一晶体管具有包含源极、漏极和通道的第一多晶硅层；以及第二晶体管，设置于显示区中，该第二晶体管具有包含源极、漏极和通道的第二多晶硅层，该第二多晶硅层的厚度大于该第一多晶硅层的厚度，且该第二多晶硅层的晶粒尺寸小于该第一多晶硅层的晶粒尺寸。” 2008年9月18日，戊公司不服国家知识产权局作出的驳回决定，向专利复审委员会提出了复审请求，理由为：证据1中给出的显示区与驱动电路区的多晶硅层厚度关系与本申请正好相反，本领域技术人员因为两者所采用的方法不同而无法从证据1中得到任何技术启示。戊公司认可使用激光束照射退火来使非晶硅再结晶以得到多晶硅属于现有技术，但现有技术不包括显示区多晶硅层的厚度大于驱动区多晶硅层的厚度的技术特征本身。 2008年11月5日，专利庚公司发出复审请求受理通知书，并向国家知识产权局发出前置审查通知书。国家知识产权局对本复审请求进行了前置审查，并坚持原驳回决定。 2009年4月27日，辛公司发出了复审通知书，指出本申请权利要求1-9不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。具体理由是：本申请和证据1所要解决的技术问题相同，虽然本申请所采用的结晶方法和证据1的具体实施例中所采用的结晶方法不同，但本申请在结晶时所采用的激光技术和证据1中所采用的固相生长法都是本领域常用的结晶方法，证据1中也是通过非晶硅层的厚度来控制晶粒尺寸大小的。对于激光晶化法，非晶硅层的厚度与晶粒尺寸大小的关系也属于公知常识，且证据1也指出在结晶时可使用激光晶化法，即证据1给出了在面对本申请所要解决的技术问题时可运用的原理和技术手段的技术启示，本领域技术人员在证据1的技术启示下很容易根据公知常识运用激光技术进行结晶处理，即在应用激光技术进行结晶的情况下将显示区多晶硅层的厚度设置为大于驱动区多晶硅层的厚度。 2009年6月11日，戊公司针对上述复审通知书提交权利要求书全文替换页，对权利要求7和8进行了修改，将权利要求7中的技术特征“分别形成第一非晶硅层与第二非晶硅层于上述第一部分与上述第二部分上”，修改为“同时形成第一非晶硅层于上述第一部分以及形成第二非晶硅层于上述第二部分上”，对权利要求8也进行了类似的修改。修改后的权利要求7和8如下： “7.一种多晶硅层的形成方法，包括：提供基材包括第一部份与第二部份；同时形成第一非晶硅层于上述第一部分以及形成第二非晶硅层于上述第二部分上，且该第一非晶硅层的厚度小于该第二非晶硅层的厚度；以及对该第一非晶硅层与该第二非晶硅层进行结晶处理，以同时形成第一多晶硅层与第二多晶硅层，其中该第一多晶硅层的晶粒尺寸大于该第二多晶硅层的晶粒尺寸。 8.一种多晶硅层的形成方法，包括：提供基材包括第一部份、第二部份与第三部份；同时形成第一非晶硅层于该第一部分上，形成第二非晶硅层于该第二部分上以及形成第三非晶硅层于该第三部份上，且该第一非晶硅层的厚度小于该第二非晶硅层的厚度，且该第二非晶硅层的厚度小于该第三非晶硅层的厚度；以及对该第一非晶硅层、该第二非晶硅层与该第三非晶硅层进行结晶处理，以同时形成第一多晶硅层、第二多晶硅层与第三多晶硅层，其中该第一多晶硅层的晶粒尺寸大于该第二多晶硅层的晶粒尺寸，该第二多晶硅层的晶粒尺寸大于该第三多晶硅层的晶粒尺寸。” 2009年6月23日，专利复审委员会作出第17681号决定。该决定认为： 1．权利要求1的创造性 在证据1中，外围驱动电路TFT形成区域的平均晶粒尺寸大于像素TFT形成区域的平均晶粒尺寸，其目的也是为了抑制显示区域的漏电流的产生，以及增大驱动电路区域的载流子迁移率，即本申请与证据1所要解决的技术问题以及所达到技术效果相同，之所以会存在本申请权利要求1中驱动电路区的厚度小于显示区的厚度，而证据1中驱动电路区的厚度大于显示区的厚度的差别，其原因在于本申请中从非晶硅层到多晶硅层的结晶处理时使用的是激光技术，如利用受激准分子激光束照射退火来使非晶硅再结晶以得到多晶硅的方法。对于激光技术，非晶硅层越薄，其在激光处理时溶融度越高，所以，当结晶完成形成多晶硅时多晶硅层的晶粒尺寸越大；而证据1中结晶处理时使用的是固相晶化法（即固相生长法），对于固相晶化法，由于从薄膜内部产生的核较少，而从界面产生的核较多，因此薄膜厚度越小，结晶完成形成多晶硅时多晶硅的平均晶粒越小。可见，本申请与证据1中多晶硅薄膜中驱动电路区和显示区的厚度关系相反是由于所采用的结晶方法不同导致的。 但是，对于本领域普通技术人员而言，从非晶硅形成为多晶硅的结晶方法中固相晶化法、激光晶化法都属于公知的技术，证据1中也公开了在结晶过程中除了固相生长工艺，也可以利用受激准分子激光器的激光束源等的激光束照射的退火来使非晶硅再结晶以得到多晶硅（参见证据1说明书第17页倒数第3至第1行）。即证据1中也给出了在结晶中使用激光晶化法的建议，而且就激光晶化法而言，非晶硅层的厚度、晶粒尺寸大小和激光能量的关系都属于本领域普通技术人员的公知常识。本领域技术人员在证据1的教导下，在结晶过程中使用受激准分子激光束照射的退火以形成多晶硅时，即使用激光晶化法时，要解决证据1所要解决的技术问题，根据本领域普通技术人员公知的激光晶化法中非晶硅层的厚度与晶粒尺寸大小的关系，很容易想到将驱动电路区的厚度设置为比显示区的厚度小，以便获得驱动电路区中晶粒尺寸较大而显示区中晶粒尺寸较小的技术效果，这是显而易见的。因此本申请权利要求1的技术方案相对于证据1和本领域公知常识的结合不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第二十二条第三款的规定。 戊公司认为：第一，证据1没有公开权利要求1和9中的如下技术特征：该第一多晶硅层的厚度小于该第二多晶硅层的厚度，该第一多晶硅层位于一驱动电路区中且该第二多晶硅层位于一显示区中。专利复审委员会仅从证据1和本申请在制造方法上的不同就判定在结构上的该区别技术特征属于公知常识，是不适当的；第二，证据1中采用激光束照射和固相生长工艺是可替换的，但证据1中采用激光束照射的技术方案中，控制晶粒尺寸大小的因素并不是非晶硅层的厚度，而是显示单元和驱动单元中离子注入的数量不同，因此证据1和本申请存在相反的教导。 对此专利复审委员会认为：第一，证据1驱动电路区和显示区中多晶硅层的厚度关系与本申请权利要求1和9中的相反，是由于证据1和本申请中所使用的形成多晶硅的方法不同。但是本申请和证据1所要解决的技术问题是相同，都是要在驱动电路区增大载流子的迁移率，而在显示区减小漏电流的产生，所运用的原理及达到的技术效果也相同，即都是使驱动电路区的多晶硅薄膜具有较大晶粒尺寸，显示区的多晶硅薄膜具有较小的晶粒尺寸。虽然本申请所采用的结晶方法和证据1具体实施例中所采用的结晶方法不同，但本申请在结晶时所采用的激光技术和证据1中所采用的固相生长法都是本领域常用的结晶方法，证据1中也是通过非晶硅层的厚度来控制晶粒尺寸大小的，而对于激光晶化法，非晶硅层的厚度与晶粒尺寸大小的关系也属于公知常识，且证据1也指出在结晶时可使用激光晶化法，即证据1给出了在面对本申请所要解决的技术问题时可运用的原理和技术手段的技术启示。本领域技术人员在证据1的技术启示下很容易根据公知常识运用激光技术进行结晶处理，即在应用激光技术进行结晶的情况下将显示区多晶硅层的厚度设置为大于驱动区多晶硅层的厚度。 第二，证据1中利用硅离子注入数量不同使得像素晶体管和外围晶体管中的平均晶粒尺寸的大小不同的方法只是其中的一个实施例，其也可以采用改变在像素晶体管和外围晶体管中的非晶硅层的厚度并且固相生长硅的方法（参见证据1说明书第19页倒数第2段）。即证据1公开了多种对非晶硅结晶形成多晶硅的方法，而对于固相生长法，形成的多晶硅的平均晶粒尺寸大小与层的厚度有关（参见证据1说明书第23页第9行至第12行）。无论是激光晶化法还是固相生长法，其控制多晶硅中平均晶粒尺寸大小的原理都是公知的，证据1中也分别公开了这些使非晶硅再结晶形成多晶硅的方法，因此证据1中给出了为实现在驱动电路区域和显示区域多晶硅薄膜中具有不同的平均晶粒尺寸的目的，可以使用固相生长法或激光晶化法等方法的技术启示，即由上所述在证据1的基础上得到本申请权利要求1的技术方案是显而易见的。壬公司的理由不能成立。 2．权利要求2、3的创造性 本申请从属权利要求2、3的附加技术特征进一步限定了第一多晶硅层与第二多晶硅层的厚度差为“100～1000埃”和“200～400埃”。证据1中公开了如下技术特征（参见说明书第22页第13行至20行）：外围驱动电路TFT形成区域的厚度为50nm，像素TFT形成区域的厚度为30nm。可见两者的厚度差为20nm，即200埃，落入权利要求2、3的附加技术特征中的数值范围内，因此在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下，权利要求2、3也不具备创造性。 3．权利要求4至6的创造性 本申请从属权利要求4的附加技术特征对多晶硅层的“表面粗糙度”进行了限定。但是对于本领域技术而言多晶硅层的表面粗糙度取决于多晶硅层的晶粒尺寸大小的公知常识，即晶粒尺寸大的其表面粗糙度大，因此在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下，权利要求4也不具备创造性。 从属权利要求5的附加技术特征进一步限定了“第三多晶硅层”及其与第一、二多晶硅层的厚度和晶粒尺寸之间的关系，从属权利要求6进一步限定了多晶硅层的“表面粗糙度”。但是由于证据1已经公开了采用不同厚度的非晶硅层来形成不同晶粒尺寸的多晶硅层，本领域技术人员在此基础之上容易想到为了得到两种以上不同晶粒尺寸，可以采取形成两种以上厚度的非晶硅层再进行结晶处理，同时也可以得到两种以上的表面粗糙度，另外如上所述多晶硅层的表面粗糙度取决于多晶硅层的晶粒尺寸大小属于公知常识。因此在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下，权利要求5和6也不具备创造性。 4．权利要求7的创造性 本申请权利要求7要求保护一种多晶硅的形成方法，证据1公开了一种显示装置及其制造方法、以及投影型显示装置，其中包含有多晶硅层的形成方法。证据1具体公开了如下技术特征（参见证据1说明书第21页倒数第5行至第23页第8行，附图13B）：一种多晶硅薄膜的制造方法，提供一衬底101（相当于权利要求7中的基材），其包括形成外围驱动电路的a-Si薄膜区域（相当于利权利要求7中的第一非晶硅层）和形成像素的a-Si薄膜区域（相当于权利要求7中的第二非晶硅层），其中所述形成外围驱动电路的a-Si薄膜区域厚度大于所述形成像素的a-Si薄膜区域的厚度，通过热处理用于固相生长的非晶硅薄膜，形成多晶硅薄膜，以形成外围驱动电路TFT形成区域（相当于利权利要求7中的第一多晶硅层）和像素TFT形成区域（相当于权利要求7中的第二多晶硅层），所述外围驱动电路TFT形成区域的平均晶粒尺寸大于所述像素TFT形成区域的平均晶粒尺寸。权利要求7与证据1所公开的技术内容相比，其区别在于：权利要求7中是第一非晶硅层的厚度小于第二非晶硅层的厚度，而证据1中公开的是形成外围驱动电路的a-Si薄膜区域（相当于第一非晶硅层）的厚度大于形成像素的a-Si薄膜区域（相当于第二非晶硅层）的厚度。权利要求7与证据1所公开的技术内容相比，其区别在于：（1）对于具体相同晶粒尺寸关系的多晶硅层之间，相应的非晶硅层的厚度关系与证据1相反；（2）具体限定了同时形成三个多晶硅层。 由评述本申请权利要求1的理由可知，本申请与证据1中驱动电路区和显示区的厚度关系相反是由于所采用的结晶方法不同导致的。但是，由于从非晶硅形成为多晶硅的结晶方法中使用激光技术，以及在激光晶化法中非晶硅层的厚度与晶粒尺寸大小的关系都属于本领域普通技术人员的公知常识，且证据1中也给出了在结晶中使用激光晶化法的建议。因此本领域技术人员在证据1的教导下，在结晶过程中使用受激准分子激光束照射的退火以形成多晶硅时，即使用激光晶化法时，要解决证据1所要解决的技术问题，根据本领域普通技术人员公知的激光晶化法中非晶硅层的厚度与晶粒尺寸大小的关系，很容易想到将驱动电路区的厚度设置为比显示区的厚度小，以便获得驱动电路区中晶粒尺寸较大而显示区中晶粒尺寸较小的技术效果，这是显而易见的。另外，对本领域技术人员来说，同时在基底上形成多个厚度不同的非晶硅层也属于本领域常用技术手段。因此本申请权利要求7的技术方案相对于证据1和本领域公知常识的结合不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第二十二条第三款的规定。 戊公司认为，证据1中没有公开本申请权利要求7和8中第一部分、第二部分、和/或第三部分的非晶硅层同时形成的技术特征，与证据1相比，权利要求7和8的技术方案更加简单。对此专利复审委员会认为，对于本领域技术人员而言，要在基底上形成厚度不同的多个区域，可以采用先在基底的某一区域上形成层结构，再在包括该区域的多个区域上覆盖另一层，使得其它区域上的层的厚度小于该区域的方式；也可以采用在基底上形成层结构，再在某一区域上去掉一部分，使得该区域的厚度小于其它区域的方式；或是采用在基底上一体形成厚度不相同的层的方式。而这些方式都是本领域常用的技术手段，即采用在基底上同时形成多个厚度不同的层结构属于本领域的常用技术手段，且这种常用技术手段的应用所能带来的技术效果也是本领域技术人员可以预知的，因此这种常用技术手段的应用对于本领域技术人员是显而易见的。 5．权利要求8的创造性 本申请权利要求8要求保护一种多晶硅层的形成方法。证据1公开了一种显示装置及其制造方法、以及投影型显示装置，其中包含多晶硅层的形成方法。证据1具体公开了如下技术特征（参见证据1说明书第21页倒数第5行至第23页第8行，附图13B）：一种多晶硅薄膜的制造方法，提供一衬底101（相当于权利要求8中的基材），其包括形成外围驱动电路的a-Si薄膜区域（相当于利权利要求8中的第一非晶硅层）和形成像素的a-Si薄膜区域（相当于权利要求8中的第二非晶硅层），其中所述形成外围驱动电路的a-Si薄膜区域厚度大于所述形成像素的a-Si薄膜区域的厚度，通过热处理用于固相生长的非晶硅薄膜，形成多晶硅薄膜，以形成外围驱动电路TFT形成区域（相当于利权利要求8中的第一多晶硅层）和像素TFT形成区域（相当于权利要求8中的第二多晶硅层），所述外围驱动电路TFT形成区域的平均晶粒尺寸大于所述像素TFT形成区域的平均晶粒尺寸。本申请权利要求8与证据1所公开的技术内容相比，其区别在于：（1）对于具体相同晶粒尺寸关系的多晶硅层之间，相应的非晶硅层的厚度关系与证据1相反；（2）相对于证据1中的两层多晶硅层的制造方法，权利要求8扩展为三层多晶硅层的制造方法，并具体限定了同时形成三个多晶硅层。 对于区别（1），由上所述，本领域技术人员在证据1的教导下，在结晶过程中使用公知的受激准分子激光束照射的退火以形成多晶硅时，根据本领域普通技术人员公知的激光晶化法中非晶硅层的厚度与晶粒尺寸大小的关系，很容易得到权利要求8中的非晶硅层之间相应的厚度关系；对于区别（2），由于证据1已经公开了采用不同厚度的非晶硅层来形成不同晶粒尺寸的多晶硅层，本领域技术人员在此基础之上容易想到为了得到两种以上不同晶粒尺寸，可以采取形成两种以上厚度的非晶硅层再进行结晶处理。另外，由上所述，同时在基底上形成多个厚度不同的非晶硅层也属于本领域常用技术手段。因此本申请权利要求8的技术方案相对于证据1和本领域公知常识的结合不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第二十二条第三款的规定。 6．权利要求9的创造性 本申请权利要求9要求保护一种平面显示器。证据1公开了一种显示装置、以及投影型显示装置，其中具体公开了如下技术特征（参见证据1说明书第21页倒数第5行至第23页第8行，附图4A、4B、13B）：所述显示装置包括一多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜包括外围驱动电路TFT形成区域（相当于权利要求1中的第一多晶硅层，即驱动电路区）和像素TFT形成区域（相当于权利要求1中的第二多晶硅层，即显示区），其中外围驱动电路TFT（相当于权利要求9的第一晶体管）中包含源极、漏极和通道的多晶硅薄膜（相当于权利要求9的第一多晶硅层），像素TFT（相当于权利要求9的第二晶体管）包含源极、漏极和通道的多晶硅薄膜（相当于权利要求9的第二多晶硅层），其中所述外围驱动电路TFT形成区域多晶硅薄膜的厚度大于所述像素TFT形成区域多晶硅薄膜的厚度，且所述外围驱动电路TFT形成区域多晶硅薄膜的平均晶粒尺寸大于所述像素TFT形成区域多晶硅薄膜的平均晶粒尺寸。权利要求9与证据1所公开的技术内容相比，其区别在于：权利要求9中是驱动电路区多晶硅薄膜的厚度小于显示区多晶硅薄膜的厚度，而证据1中公开的是外围驱动电路TFT形成区域多晶硅薄膜的厚度大于像素TFT形成区域多晶硅薄膜的厚度。 由评述权利要求1的理由可知，本申请与证据1中驱动电路区和显示区的厚度关系相反是由于所采用的结晶方法不同导致的。本领域技术人员在证据1的教导下，在结晶过程中使用公知的受激准分子激光束照射的退火以形成多晶硅时，根据本领域普通技术人员公知的激光晶化法中非晶硅层的厚度与晶粒尺寸大小的关系，很容易得到权利要求9中多晶硅层之间相应的厚度关系。因此本申请权利要求9的技术方案相对于证据1和本领域公知常识的结合不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第二十二条第三款的规定。 根据上述事实和理由，专利复审委员会作出第17681号决定，维持国家知识产权局作出的驳回决定。戊公司不服该决定，在法定期限内向原审法院提起行政诉讼。 原审过程中，戊公司表示：1、认可第17681号决定有关证据1公开内容的描述以及本申请权利要求1与证据1区别技术特征的记载；2、认可本申请与证据1所解决的技术问题和达到的技术效果相同；3、明确表示如果本申请权利要求1不具备创造性，则权利要求2-6也不具备创造性；4、明确本申请权利要求7-9具备创造性的理由与权利要求1具备创造性的理由相同。 上述事实，有第17681号决定、驳回决定、复审通知书、戊公司于2008年6月11日提交的权利要求书和说明书以及当事人陈某等证据在案佐证。 本院认为： 本申请的申请日在2009年10月1日前，故本案应适用2000年修正的专利法进行审理。专利法第二十二条第三款规定，发明专利的创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步。癸公司在原审中明确表示，如果本申请权利要求1不具备创造性，本申请权利要求2至6，以及本申请权利要求7至9也不具备创造性，因此，本案的争议焦点在于本申请权利要求1相对于证据1和公知常识的结合是否具备创造性。 本申请权利要求1与证据1相比，共同的特征都是驱动区的晶粒大，而显示区的晶粒小，在这种情况下才能使驱动区的载流子迁移率高，并使抑制显示区漏电，二者要解决的技术问题及达到的技术效果是相同的；区别特征在于，本申请的驱动区的多晶硅层厚度小，显示区的多晶硅层厚度大，而证据1中的驱动区的多晶硅层厚度大，显示区的多晶硅层厚度小。 造成这种厚度差别的原因在于从非晶硅层到多晶硅层的结晶方法不同。采用固相晶化法，非晶硅层越薄，形成的多晶硅层的晶粒越小，因此在采用固相晶化法时，为了使驱动区的晶粒比显示区的晶粒大，必然需要驱动区的非晶硅层比显示区的非晶硅层厚。采用激光晶化法，非晶硅层越薄，形成的多晶硅层的晶粒越大，因此在采用激光晶化法时，为了使驱动区的晶粒比显示区的晶粒大，必然需要驱动区的非晶硅层比显示区的非晶硅层薄。 从非晶硅层到多晶硅层的结晶方法中，激光晶化法和固化晶化法都是公知常识，而且采用激光晶化法时，非晶硅层越薄，形成的多晶硅层的晶粒越大，也属于公知常识。再者，证据1中给出了使用激光晶化法的技术启示，因此，本领域技术人员结合证据1和公知常识，不需要创造性劳动即可以得到本申请权利要求1的技术方案。本申请的技术方案对于本领域的技术人员而言，是显而易见的。因此，专利复审委员会和原审法院认为本申请不具备创造性是正确的。 戊公司虽然不认可专利复审委员会主张的公知常识，但根据本案的证据可知，采用激光晶化法时，非晶硅层越薄，形成的多晶硅层的晶粒越大，确实属于公知常识。因此，戊公司的该项主张，不应予以支持。 综上，戊公司的上诉理由不能成立，其上诉请求本院不予支持。原审判决认定事实清楚，适用法律正确。依据《中华人民共和国行政诉讼法》第六十一条第（一）项的规定，判决如下： 驳回上诉，维持原判。 一审案件受理费一百元，甲公司负担（已交纳）；二审案件受理费一百元，甲公司负担（已交纳）。 本判决为终审判决。 审　判　长　　刘　辉 代理审判员　　岑宏宇 代理审判员　　石某 二Ο一Ο 年 七 月 二十 日 书　记　员　　毕　怡 本案法律依据 中华人民共和国行政诉讼法 第54条1款1项 中华人民共和国行政诉讼法 第61条1款1项 中华人民共和国专利法(1992修正) 第22条3款