甲公司与国家知识产权局发明专利申请驳回复审行政纠纷上诉案

行政> 行政行为> 行政裁决 案 号：(2022)最高法知行终47号 审理法官： 邓某 张某 徐某 文书类型： 判决书 公开类型： 文书公开 审理法院： 最高人民法院 审结日期：2023.04.17 案件类型： 行政二审 审理程序： 二审 权责关键词： 合法 质证 关联性 合法性 新证据 维持原判 // 甲公司与国家知识产权局发明专利申请驳回复审行政纠纷上诉案 中华人民共和国最高人民法院 行政判决书 (2022)最高法知行终47号 上诉人(一审原告、专利申请人)：甲公司。 法定代表人：鄢某，该公司执行董事兼总经理。 被上诉人(一审被告)：国家知识产权局。住所地：北京市海淀区××路××号。 法定代表人：申某，该局局长。 委托诉讼代理人：戴某，该局审查员。 委托诉讼代理人：袁某，该局审查员。 乙公司与被上诉人国家知识产权局发明专利申请驳回复审行政纠纷一案，丙公司、名称为“分离的三维纵向存储器”的发明专利申请(以下简称本申请)。丁公司就本申请提出的复审请求，国家知识产权局作出第243455号复审请求审查决定(以下简称辛公司)，维持其于2019年5月29日对本申请作出的驳回决定；甲公司不服，向北京知识产权法院(以下简称一审法院)提起诉讼。一审法院于2021年9月27日作出(2021)京73行初8255号行政判决，戊公司的诉讼请求；甲公司不服，向本院提起上诉。本院于2022年2月7日立案后，依法组成合议庭对本案进行审理，并于2022年7月14日询问当事人，乙公司的法定代表人鄢某，被上诉人国家知识产权局的委托诉讼代理人戴某、袁某到庭参加询问。本案现已审理终结。 本案基本事实如下：本申请系名称为“分离的三维纵向存储器”的发明专利申请，己公司，申请号为201510088410.0，申请日为2015年2月26日，公开日为2016年10月5日。作为本案审查基础的权利要求为： “1.一种分离的三维纵向存储器(3D-MV)(50)，其特征在于包括： 一三维阵列芯片(30)，所述三维阵列芯片(30)形成于第一衬底(0A)并含有多个竖直存储串(16X、16Y)，每个所述竖直存储串含有多个垂直堆叠的存储元(8a-8h)； 一周边电路芯片(40或60)，所述周边电路芯片(40或60)形成于第二衬底(0B)并含有所述三维阵列芯片(30)的至少一周边电路；所述三维阵列芯片(30)不含所述周边电路； 在垂直于所述第一衬底(0A)方向上所述竖直存储串(16X)所含存储元(8a-8h)的数目大于在垂直于所述第二衬底(0B)方向上所述周边电路芯片(40或60)所含互连线层的数目； 所述三维阵列芯片(30)和所述周边电路芯片(40或60)为两个不同的芯片。 2.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于：所述周边电路芯片(40或60)为一电压产生器芯片(40)。 3.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于：所述周边电路芯片(40或60)为一转换器芯片(60)。 4.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于：所述三维纵向存储器是一纵向NAND。 5.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于：所述三维纵向存储器是三维只读存储器(3D-ROM)。 6.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于：所述三维纵向存储器是三维随机读取存储器(3D-RAM)。 7.根据权利要求1所述的存储器，其特征还在于：所述三维纵向存储器是存储卡、固态硬盘、多芯片封装和多芯片组件中的至少一种。” 经实质审查，国家知识产权局于2019年5月29日发出驳回决定，驳回了本申请。其理由是：本申请权利要求1-7不具备创造性。 驳回决定中引用了如下对比文件： 对比文件1为CN103633048A专利文献，公开日为2014年3月12日。 2021年1月29日，国家知识产权局作出辛公司认为：在对比文件1的基础上结合本领域的常规选择得到权利要求1的技术方案，对于本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备《中华人民共和国专利法》(以下简称专利法)第二十二条第三款规定的创造性。权利要求2-4所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是本领域的常规选择，权利要求5-7的附加技术特征被对比文件1公开，因此在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求2-7的技术方案也不具备创造性。据此，维持国家知识产权局于2019年5月29日对本申请作出的驳回决定。 甲公司不服辛公司，向一审法院提起诉讼，请求：撤销辛公司，并判令国家知识产权局重新作出决定。事实和理由为：(一)区别特征认定错误。辛公司在区别特征认定过程中，随意将水平存储器的结构特征改头换面(将“水平”替换为“垂直”)并应用到纵向存储器中，没有解释这种替换是否合理，犯了形而上学的错误。本申请和对比文件1均讨论成本(本申请，[0009]；对比文件1，[0017])，而芯片成本大致与后端层的数量成正比(因为后端层的数量与工艺步骤的数量密切相关)。在讨论芯片成本时，无论本申请或者对比文件1是水平存储器还是纵向存储器，我们关心的只是垂直方向上的后端层数量，与水平方向上的结构没有任何关系。对比文件1和本申请的主要差异来自其每个存储层中所含金属层的数量不同：在对比文件1中，三维水平存储器每个存储元含有2个金属层(图3A)；而在本申请中，三维纵向存储器每个存储元仅含1个金属层(图4)。基于上述原因，在对比文件1中，虽然三维阵列芯片30的后端层数量(=6)(图3A)大于周边电路芯片40的后端层数量(=4)(图3B)，但堆叠的存储元数量(=2)(图3A)仍小于周边电路40的后端层数量(=4)(图3B)；而在本申请中，不仅三维阵列芯片30的后端层数量(=8)(图4)大于周边电路芯片40的后端层数量(=2)(图5)，而且堆叠的存储元数量(=8)(图4)也大于周边电路40的后端层数量(=2)(图5)。因此，“在垂直于所述第一衬底(0A)方向上所述竖直存储串(16X)所含存储元(8a-8h)的数目大于在垂直于所述第二衬底(0B)方向上所述周边电路芯片(40或60)所含互连线层的数目”(权利要求1)是对比文件1和本申请的区别特征，本申请具有新颖性。(二)由于额外的封装步骤会增加-10%的成本，对比文件1不能降低总成本。由于上述技术问题未被任何现有技术披露，发现该技术问题具有非显而易见性。本申请进一步解决了上述技术问题。在本申请中，即使三维阵列芯片30中堆叠的存储元的数目刚大于周边电路芯片40中后端层的数目，其权利要求1所述的分离三维存储器仍能降低总成本。譬如说，周边电路芯片40的后端层数目仍为4；三维阵列芯片30含有5个堆叠的存储元(对应于5个地址线层)。加上2个互连线层，三维阵列芯片30后端层的总数目为7。这时，三维阵列芯片30与周边电路芯片40的晶圆成本之比约为7:4。假设周边电路芯片40面积还是三维阵列芯片30的30%，则分离三维存储器的芯片成本比传统三维存储器低-10%。即使加上额外的封装成本，本申请所述仍能降低总成本。在讨论存储器成本时，无论水平存储器还是纵向存储器，我们关心的只是垂直方向，与水平方向无关。在此约束下，本申请与对比文件1具有不同技术特征，具有新颖性。同时，本申请意识到现有技术尚未意识到的问题(对比文件1只能有条件地降低总成本)，并解决之(本申请可在任何情况下降低总成本)，具有创造性。(三)由于权利要求1具有创造性，权利要求2-7也具有创造性。 国家知识产权局一审辩称：坚持辛公司中的意见，辛公司认定事实清楚，适用法律法规正确，审理程序合法，审查结论正确。请求法院戊公司诉讼请求。 一审法院经审理认定了上述事实。 一审法院认为： (一)关于权利要求1 水平存储器与纵向存储器均是现有技术中比较常见的存储器类型，而对比文件1公开了将具有复杂后端工艺的三维电路和具有较简单后端工艺的二维电路分离到不同芯片。换言之，水平存储器、纵向存储器、存储器可以与周边电路分离设置都是本领域技术人员已知晓的。而纵向存储器中的三维存储阵列具有复杂的后端工艺，周边电路具有较简单的后端工艺，此时将存储器分离的设置应用于纵向存储器对本领域技术人员来说并无难度。同时，根据图3A可知，水平存储层中所含的存储元的数目必然大于读/写电压产生器芯片(40)的互连线层数。因此，在将存储器分离的设置应用于纵向存储器时，本领域技术人员容易想到在垂直于衬底的方向上，使存储元的数目大于周边电路芯片的互连线层的数目，从而降低成本。此外需要指出的是，甲公司强调对比文件1在特定情况下会增加额外的封装成本从而导致总成本的增加，但从本领域技术人员的角度来看，只要在常规选择下能够降低成本，就有动机在对比文件1的基础上寻求改进，甲公司关于“解决了尚未认识到的技术问题”的主张不能成立。综上，权利要求1的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。 (二)关于其他权利要求 经一审法院审查，其他权利要求也不具备创造性，一审法院对此予以确认。 一审法院依据《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，判决：庚公司的诉讼请求。案件受理费100元，甲公司负担。 甲公司不服一审判决，向本院提起上诉，请求：撤销一审判决及辛公司，并责令国家知识产权局重新作出审查决定。事实和理由为：(一)三维阵列芯片30采用比读/写电压产生器芯片(即周边电路芯片)40更繁复的后端工艺。具体说来，三维阵列芯片30中后端互连线层的数目(N)大于周边电路芯片40中后端互连线层的数目(n)，即N>n。由于晶片成本与后端互连线层数基本成正比，周边电路芯片40的晶片成本低于三维阵列芯片30，因此分离结构60的总成本低于集成结构20。对比文件尚未认识到如下技术问题：额外的封装成本可能会导致分离结构总成本高于集成结构。为了解决上述技术问题，本申请做了改进。对于三维纵向存储器，在计入封装成本的情况下，为了保证分离结构的总成本低于集成结构，本申请对三维纵向存储器后端互连线层的数目做了进一步限制，要求三维阵列芯片30中垂直存储串16X所含存储元8a-8h的数目(Nc)大于周边电路40中后端互连线层的数目(n)，即Nc>n。在此条件下(Nc>n)，即使计入封装成本，分离结构总成本仍低于集成结构。因此，本申请采用的技术手段解决了对比文件的技术问题，获得了比对比文件更好的技术效果，实现了总成本的下降。(二)在整体上考虑了分离结构所带来的额外封装成本后，仍能降低三维纵向存储器的总成本。进而根据上述区别技术特征所能达到的技术效果确定的本案实际能解决的技术问题是：在计入封装成本的情况下，如何保证分离的三维纵向存储器比集成的三维纵向存储器总成本低。辛公司将技术手段作为技术问题的一部分，笼统地将技术问题认定为降低成本，过于草率。本案提出的技术问题长期被专业人士忽视，并非显而易见，发明已具创造性。此外，本案采用的技术手段也非显而易见。 国家知识产权局辩称：一审判决认定事实清楚、适用法律正确，审理程序合法，甲公司的上诉理由不能成立，请求法院驳回上诉。 本案二审期间，当事人均对一审判决关于涉案证据真实性、合法性和关联性的认定不持异议。甲公司提交了2份新证据：美国专利US9299390B2和US9305604B2，证明目的是本申请具备创造性。 国家知识产权局的质证意见：该组证据与本案事实没有关联性。 本院认证意见：该组证据和本申请没有关联性，本院不予采纳。 本院经审理查明：一审法院认定的事实属实，本院予以确认。 本院认为：本申请的申请日在2008年修正的专利法施行日(2009年10月1日)之后、2020年修正的专利法施行日(2021年6月1日)之前，本案应适用2008年修正的专利法。本案二审争议焦点问题是：本申请是否具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。 专利法第二十二条第三款规定，创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。 如果一项权利要求保护的技术方案与最接近现有技术证据公开的方案相比存在区别技术特征，该区别技术特征使得被保护的技术方案产生有益的技术效果，且现有技术证据既未公开该区别技术特征，也未给出任何技术启示使得本领域技术人员有动机将该区别技术特征运用到该最接近现有技术证据公开的方案中以解决其存在的技术问题，则该权利要求具备创造性。 (一)关于本申请权利要求1 本申请权利要求1的技术方案与对比文件1公开的内容相比区别技术特征为：存储器为纵向存储器，即存储串为竖直的，存储元是垂直堆叠的，并且存储元的数目大于周边电路芯片的互连线层的数目的方向是在垂直于衬底的方向上。基于该区别技术特征，权利要求1的技术方案实际解决的技术问题为将存储器分离的设置应用于存储元与衬底垂直的纵向存储器从而使分离的设置能够降低成本。甲公司上诉主张，根据上述区别技术特征所能达到的技术效果确定的本案实际能解决的技术问题是：在计入封装成本的情况下，如何保证分离的三维纵向存储器比集成的三维纵向存储器总成本低。对此本院认为，存储器封装需要计入成本是本领域公知常识，辛公司上诉主张的技术问题没有实质区别。另外，从本领域技术人员的角度来看，只要在常规选择下能够降低成本，就有动机在对比文件1的基础上寻求改进，甲公司该项主张不能成立。 关于现有技术是否给出了技术启示。甲公司上诉主张，Nc某(水平存储层中所含的存储元的数目)与n(互连线层数)是两个不同维度(分别为垂直维度和水平维度)的数，即使认可对Nc某和n的比较，其也没起到任何技术效果。对此本院认为，首先，三维纵向存储器是本领域中一种已知的常规存储器，三维纵向存储器的存储元是垂直堆叠的结构也是公知常识。在申请日之前三维纵向存储器的存储层数到达数十层早已为本领域技术人员所公知。其次，存储元的数目，也就是纵向存储层数，对于本领域技术人员而言，为了获得单位面积的更大存储容量，追求更高的层数是本领域的普遍追求和技术发展趋势，三维纵向存储器的存储层数通常是几十层或更多，而周边电路芯片的互连线层一般是数层。因此在垂直衬底的方向上，三维纵向存储器的存储层数大于周边电路芯片的互连线层是本领域的公知常识，对本领域技术人员而言是显而易见的。此外，甲公司的该项主张并不影响在垂直衬底的方向上，三维纵向存储器的存储层数大于周边电路芯片的互连线层是本领域的公知常识的认定。 因此，本申请权利要求1的技术方案相对于对比文件1存在的区别技术特征属于本领域的公知常识，对比文件1和本领域公知常识的结合获得本专利权利要求1的技术方案，对本领域技术人员而言是显而易见的。故本申请权利要求1的技术方案相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。 (二)关于从属权利要求 壬公司没有对其他权利要求陈述具体主张和理由，本院经审查认为，辛公司关于本申请从属权利要求的评述无误，此处不再赘述。 综上所述，甲公司的上诉请求不能成立，应予驳回。一审判决认定事实清楚，适用法律正确，应予维持。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第八十九条第一款第一项之规定，判决如下： 驳回上诉，维持原判。 二审案件受理费100元，甲公司负担。 本判决为终审判决。 审 判 长　邓 卓 审 判 员　张某 审 判 员　徐 飞 二〇二三年四月十七日 法官助理　骆芳菲 书 记 员　滕禹含 裁判要点 案号 (2022)最高法知行终47号 案由 发明专利申请驳回复审行政纠纷 合议庭 审判长：邓某 审判员：张某、徐某 法官助理：骆芳菲 书记员：滕禹含 裁判日期 2023年4月17日 本申请 “分离的三维纵向存储器”发明专利申请(201510088410.0) 关键词 发明；驳回复审；创造性 当事人 上诉人(一审原告、专利申请人)：甲公司； 被上诉人(一审被告)：国家知识产权局。 裁判结果 驳回上诉，维持原判。 一审判决主文：庚公司的诉讼请求。 辛公司主文：维持对本申请作出的驳回决定。 涉案法条 《中华人民共和国专利法》第二十二条第三款 法律问题 创造性的判断 裁判观点 如果一项权利要求保护的技术方案与最接近现有技术证据公开的方案相比存在区别技术特征，该区别技术特征使得被保护的技术方案产生有益的技术效果，且现有技术证据既未公开该区别技术特征，也未给出任何技术启示使得本领域技术人员有动机将该区别技术特征运用到该最接近现有技术证据公开的方案中以解决其存在的技术问题，则该权利要求具备创造性。 注：本摘要并非判决书之组成部分，不具有法律效力。 本案法律依据 中华人民共和国行政诉讼法(2017修正) 第69条 中华人民共和国行政诉讼法(2017修正) 第89条1款1项 中华人民共和国专利法(2020修正) 第22条3款